21ic讯 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号: ON),推出新系列绝缘栅双极晶体管(IGBT),采用公司专有的超场截止沟槽技术。NGTB40N120F
熟悉IGBT的朋友都知道,IGBT的内部主要是MOS结构。这就意味着IGBT对于静电非常敏感,在使用过程中稍有不当就可能造成IGBT的损坏。那么在使用IGBT时,需要设计者注意哪些问题
IGBT技术大多应用在大功率电源场合,要在这些场合应用,首先就需要拥有避免欠压、米勒效应、过载一类的不良反应。因此在隔离驱动IGBT功率器件的设计上就需要相应的设计技巧
随着市场对大功率供电设备需求日益激增,IGBT不间断电源开始发挥越来越重要的作用。IGBT设备性能的好坏直接影响大功率电源的供电效率。一般来说,较为成熟的IGBT设计出现损
随着大功率与特种电源逐渐在市场上盛行,IGBT技术也随着时间的推移越加成熟。IGBT的可靠性很大程度上决定的了大功率电源的性能,因此人们总是想通过各种方法来提高IGBT的效
东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出“TB9150FNG”,这是一款具有各种增强型保护功能的光电隔离型IGBT[1]栅极预驱动IC,适用于电动和混合动力汽车的车载逆变器。样品发货即
随着现代电科技设备的日趋复杂,原有的电源已经无法再满足人们的需要。大功率特种电源便应运而生,而其中较为重要的,就是IGBT技术。如果想要全面稳妥的提高IGBT的可靠性,
随着不间断电源等特殊电源的兴起,IGBT在电子电路设计领域地位变得越来越重要,在之前的文章中小编为大家介绍有关IGBT可靠性中的芯片额定输出功率密度的问题,在本文中,小
本文分析了一种基于高速IGBT的软开关移相全桥带同步整流的DC/DC转换器。移相全桥拓扑的软开关技术是混合动力汽车和电动汽车高压-低压DC/DC转换器的主流关键技术。
IGBT有三个电极,分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据
新能源汽车随着相关技术的日趋成熟而越来越受欢迎,同时其清洁环保的特点已经越来越受到大众的喜爱。只是受制于动力系统(电池等)的限制,新能源汽车的续航与动力舱的体积一
随着不间断电源的兴起,IGBT技术开始走进人们的生活。而对于新手来说,对于IGBT的相关知识进行学习并不困难,困难的是理解这种技术在实际应用当中的一些问题。本文就将针对
与常见的PWM技术相比,SPWM是一种更为成熟完善并且应用面积更广的采样方法。此种方法在单片机领域中应用的较多,本文就将为大家介绍在一种单片机SPWM逆变电路当中,关键器件
由于不间断电源的兴起,IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应,因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格,需要负压驱动进行辅助。当MOSFET作用在电路
由于逆变电源在电路中肩负着直流和交流之间的转换,所以其安全性就显得尤为重要。如果逆变电源出现短路的情况,那么就有可能出现烧毁的情况,想要有效避免短路情况的发生,
电源技术不断进步,这就使得传统的一些单一电源方案不再适合于对现如今的产品。最典型的例子就是随着应急电源与不间断电源的诞生,IGBT技术开始走俏起来。
现如今科技飞速发展,传统的电力转化已经无法满足电力设备的需要。新型变频设备崛起的同时,大功率IGBT的应用也逐渐增多起来,IGBT的可靠性直接关系到变频的效率与电力设备
当选择的IGBT,设计者面临着一些架构选择,可以有利于IGBT的一种形式中,如对称与不对称阻塞,在另一个的。本文将回顾由不同的IGBT架构所提供的设计方案。该绝缘栅双极晶体
瑞萨电子近日发布了性能指数(FOM)较上代产品最高改善了30%的 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)新产品“G8H系列”,已开始供应样品。FOM是开关损耗与集电极-发射极间饱和电压(VCE(sat))的乘积,FOM越
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器,可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。目标应用包