MOSFET

功率MOSFET基础知识

什么是功率MOSFET？ 我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向；我们不能对其

功率MOSFET及其发展浅说

近年来作了多次关于功率半导体器件发展趋势的报告，许多朋友都希望我讲得更详细些，或更能符合应用工作者的口味，因而撰写一篇现代功率半导体器件浅说的想法由来已久。只是

功率MOSFET原理及其应用介绍

当前的高压功率MOSFET都属于N通道增强型双扩散金属-氧化物-硅场效应晶体管。它的功能和NPN双极结型晶体管是一样的，只不过它是由电压控制，而后者是由电流控制。由于它的高

常用MOSFET技术参数

PART NO.VDS(V)ID250C(A)1000CRDS(ON)(ohms)CISS(PF)IDM(A)PD(W)PACKAGEIRF120100850.36003240TO-3IRF12160850.36003240TO-3IRF122100740.46002840TO-3IRF12360740.4600284

MOSFET酝酿下一波涨价 DRAM跌幅却持续加大

MOSFET的缺货从2016年下半年就已经开始，一直持续到现在，正酝酿下一波价格调涨。与此形成鲜明对比的是，前一段时间不断涨价的DRAM开始走下坡路了!据集邦咨询的最新报告，第四季DRAM合约价二次下修，2019年第一季跌幅持续扩大。

MOSFET产能继续大缺，正酝酿下一波价格调涨！

到了2018年，MOSFET产能继续大缺，下半年出现缺货潮，ODM/OEM厂及系统厂客户抢产能，台厂大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季订单全满，接单能见度直至年底，正酝酿下一波价格调涨。

拥有线性稳压器特性的下一代移动DC-to-DC转换器

今天的手机不断向小型化和薄型化发展。这点毫不奇怪，技术尺寸方面的多数进展是一个关键问题，可以决定产品开发的命运。由于移动器件的尺寸不断变小，元件尺寸和元件数量

如何计算高功率电源中MOSFET的功耗

功率MOSFET是用于便携式设备的所有高功率开关电源中的重要部分。另外，在散热功能最差的笔记本电脑中，功率MOSFET的选择也不是一件容易的事情。本文就如何计算功率MOSFET的

高功率便携式DC-DC中MOSFET功耗的计算

也许，今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。它们的电源电流最近每两年就翻一番。事实上，今天的便携式核电源电流需求会高达40A或更多

不单只是数据表 – 真实世界下的PC能效

计算机原设备制造商(OEM)正面对商业、环保和法规等多方面的压力，需要体现他们产品的能效，提供更“绿色” 的台式个人电脑(PC)和服务器。这使设计这些产品的工程

Diodes自保护式MOSFET节省85%的占板空间

Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT

飞兆半导体的栅极驱动器提高汽车应用的燃油效率

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为设计人员提供一系列能够提升汽车应用功耗、噪声免疫能力和瞬态电压性能的栅极驱动器FAN7080x系列，让工程师开发出在所有操作条

选择正确的MOSFET：工程师所需要知道的

随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指

具有超快瞬态响应和低功耗的有源整流控制器

ISO 16750 或 LV124 等汽车标准规定，汽车电子控制单元 (ECU) 可能面临一个具有高达 6 V p-p(在高达 30 kHz 频率下)AC 纹波之叠加的供电电源。用于控制外部MOSFET的诸如 LT8672 的门极驱动等器件足够强大，能处理高达 100 kHz 的纹波频率，从而最大限度减小了反向电流。图 1 所示为这种 AC 纹波整流的一个例子。

快速二极管MOSFET在三相逆变器拓扑中的应用

高效率和节能是家电应用中首要的问题。三相无刷直流电机因其效率高和尺寸小的优势而被广泛应用在家电设备中以及很多其他应用中。此外，由于采用了电子换向器代替机械换向装

意法半导体宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破

功率半导体产品的意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。MDm

LTC4366浪涌抑制器工作原理详解

LTC4366浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极，LTC4366可在过压瞬变过程中调节输出。在MOSFET两端承载过压的情况下，负载可以保持运

AnalogicTech推出低阻抗半桥MOSFET驱动器AAT4910

解决SMPS难题

电源能效对环境的影响问题越来越受到世界范围的关注，致力于自然资源保护的全球各国政府和标准化制定机构已相继推出各项措施，积极推广高能效电源。美国加州能源委员会(CEC

IR推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列

功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池