采用P通道MOSFET管和电源监测电路

如果选用没有稳定状态输出（pg）功能的dc/dc，则可以外部增加1个电源监测（svs）器件实现pg的功能，同时使 用p通道mosfet管作为电源分配开关实现上电次序的控制，如图1所示。
　图1 采用p通道mosfet管和输入电源监测电路　　在上电过程中，i/o供电电源经过mosfet管连接到外部电源上，外部电源通过dc/dc模块变换后作为内核电源。 dc/dc模块为dsp内核（或多个dsp）以及系统电路供电，根据需要可以选用线性电源也可以选用开关电源。采用电 源监测的方法，在外部输人3.3 v电源达到监测电路的阀值后，会自动产生一个zoo ms（一般情况）的低复位信号 ，可以利用该复位信号控制ijo的上电。由于输人电压上电200 ms后i/o才上电，因此，只有系统上电20o ms内内核 供电电压达到稳定才能够正确地控制上电次序，但对一般系统而言，200 ms是可以满足要求的。　　在掉电过程中，电源监测（svs）单元检测到外部电压断开，从而使reset输出高电平关闭mosfet管，断开i/o单元 的供电电源。为了在i/o掉电后内核电源才切断，要求外部供电电路掉电时电压是逐渐衰减的，只有这样才能够满足系统的电源掉电次序。　　上述方法是监测系统的输人电压，实际上也可以选择直接检测dsp的内核电压，如图2所示，这样就不需要⒛0 ms的延时。在上电过程中，dsp内核电压正常200 ms后才会给i/o供电；在掉电过程中，一旦内核电压低于监测电路的阀值将会自动关闭mosfet管，断开i/o电源。
　图2 采用p通道mosfet管和内核电源监测电路　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（）