意法半导体的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管,将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。
去年一直困扰着大中、杰力等MOSFET厂的6吋及8吋晶圆代工产能不足问题,今年上半年也获得解决。 由于小尺寸面板驱动IC及微控制器(MCU)投片量明显减少,MOSFET厂第一季可以取得更多晶圆代工产能支持,上半年不会再有产能不足情况发生。
基本半导体紧跟时代步伐,采用国际领先的碳化硅设计生产工艺,推出国内首款通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET,助推国内第三代半导体技术发展。
中美贸易战对金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)为主的分离式元件供需影响较小,他认为,目前MOSFET需求仍十分旺盛。
本文将探讨如何选择用于热插拔的MOSFET(金氧半场效晶体管)。 当电源与其负载突然断开时,电路寄生电感元件上的大电流摆动会产生巨大的尖峰电压,对电路上的电子元件造成十
8吋半导体矽晶圆大厂合晶指出,8吋订单依旧满载,不过6吋的需求有转趋疲弱的迹象,稼动率有松动的情况。据悉,8吋重掺半导体矽晶圆明年上半年将延续涨势,涨幅可望达到10%以上,而明年上半年整体的8吋矽晶圆的涨幅约落在高个位数附近。
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600 V 70 mΩ氮化镓 (GaN) 功率级产品。
“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)
一种能对Vishay Siliconix MOSFET的热性能进行模拟,并号称是第一款利用有限元分析以提高精确度的免费在线工具目前正在网上流行。 Vishay提供的ThermaSim让设计者可以
“功率半导体在节约能源方面起着重要的作用,然而之前令人无奈的是市场却很小,但是,2017年世界市场规模超过了2兆日元(约1,200亿人民币),特别是EV、混合动力汽车、燃料电池车等方面发展迅猛。尤其是SiC(碳化硅)被高度评价具有优越的材料特性。”
据报道,金氧半场效电晶体(MOSFET)市场出现杂音,有晶圆代工厂透露,客户需求转趋观望,12月订单调整幅度比往年大,接单感受到压力。
意法半导体推出MDmesh™系列600V超结晶体管,该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。
1. 引言 散热器在计算时会出现误差,一般说来主要原因是很难精确地预先知道功率损耗,每只器件的参数参差不齐,并不是一样的,而且在芯片上各处的温度也是不同的。结果是
汽油机缸内直喷是当前轿车汽油喷射中的前沿技术,多点顺序汽油喷射将各个点火线圈分别安装在各缸的进气歧管中,使各缸混合气分配较均匀,因此能很好地适应减少排放、降低油
1.引言 在过去的十几年中,大功率场效应管(MOSFET)引发了电源工业的革命,而且大大地促进了电子工业其他领域的发展。由于MOSFET具有更快的开关速度,电源开关频率可以做
UCD9110或UCD9501等新上市的数字电源控制器需要具备新型的智能型集成MOSFET驱动器的支持。电源设计人员仍然对数字电源控制技术心存疑虑。他们经常将PC的蓝屏现象归咎于软件
一、 引言 电力电子设备正朝着高频、高效、高可靠、高功率因数和低成本的方向发展,功率器件则要求高速、高可靠、低损耗和低成本。目前所用功率器件主要是功率MOSFET和IG
与传统的降压同步方案不一样,目前已经有越来越多的功率半导体厂商推出了单芯片的同步降压解决方案,集成了上边和下边MOSFET,外部只需要一个电感及相应的控制线路,极大的
薛添福表示,产能满足度与市场供给缺口达3成,且新投资产能还是很有限,新应用占去的产能,对于其他产品产生排挤效应;另外,工业机器人、人工智能和数据中心也占掉一些产能,至少到明年都呈现不足。不过,薛添福也看好自家未来产能会比今年多。
由于台积电目前将一些8英寸的产能外包给世界先进,此次台积电8英寸新厂的消息一出,外界对世界先进的长远发展产生了疑虑。但美系外资从三个方面指出了仍然看好世界先进的原因。