MOSFET
-
LED驱动设计的5大关键
要普及LED灯具，不但需要大幅度降低成本，更需要解决技术性的问题。如何解决能效和可靠性这些难题，PowerIntegrations市场营销副总裁DougBailey分享了高效高可靠LED驱动设计
-
基于单片机的脉冲快速充电系统设计
系统中的开关电源电路为蓄电池的充电提供稳定的电压采用的是反激式的开关电源电路。反激式开关电源的电路比较简单，比正激式开关电源少用了一个大的储能滤波电感，以及一个续流二极管
-
MOSFET、IGBT下半年恐现缺货潮 涨价不可避免！
茂矽近期已发函通知客户涨价，预计7月起依产品别调涨晶圆代工价格15～20%，高单价客户及高售价产品优先投片，6月底未投产完毕的订单退回并请客户重新评估需求，重新来单则适用7月起已调涨后的晶圆代工价格。
-
关于MOSFET用于开关电源的驱动电路
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。在使
-
输出电流的控制和感测基础
对大部分负载管理电路来说，MOSFET正在迅速取代继电器成为首选的开关技术，电力电子系统的维护成本也随之降低。本文讲述了输出电流的控制和感测基础，并分析了一种智能负载管理产品。
-
MOSFET报价调涨，供需紧俏或致8英寸晶圆涨价？
近期MOSFET报价调涨，由于中国大陆家电产品对变频化趋势持续推进，对MOSFET等需求持续上升，另外，无线充电、物联网、车用等新应用，带动相关元件需求增加，导致全球8英寸晶圆代工厂的产能利用率维持在100%左右的水准。
-
美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V肖特基势垒二极管器件
21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 肖特基势垒二极
-
在ON状态下 Mosfet与三极管有何不同之处？
MOSFET是一种在模拟电路和数字电路中都应用的非常广泛的一种场效晶体管。三极管也成为双极型晶体管，他能够控制电流的的流动，将较小的信号放大成为幅值较高的电信号。MOSFET和三极管都有ON状态，那么在处于ON状态时，这两者有什么区别呢?
-
关于MOSFET用于开关电源的驱动电路
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。
-
关于反激式LED驱动器的工作原理
作为一种固态光源，发光二级管(LED)具备使用寿命长、功效出色以及环保特性，因此得到了广泛应用。目前，LED正在取代现有的照明光源，如白炽灯、荧光灯和HID灯等。若要点亮LED，需要用恒定电流进行操作，而且必须具有高功率因数。除了适用于固态照明的最新EnergyStar®指令要求功率超过3 W的照明光源具有大于0.9的功率因数，镇流器输入线路电流谐波还需要满足IEC61000-3-2 C类规范的要求。
-
开关MOS寄生二极管的多种妙用
是由生产工艺造成的，大功率MOS管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。模拟电路书里讲得就是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。但D极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接S极，因此自然在DS之间有二极管。如果在IC里面，N—MOS衬底接最低的电压，P—MOS衬底接最高电压，不一定和S极相连，所以DS之间不一定有寄生二极管。
-
开关MOS寄生二极管的多种妙用
是由生产工艺造成的，大功率MOS管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。模拟电路书里讲得就是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。但D极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接S极，因此自然在DS之间有二极管。如果在IC里面，N—MOS衬底接最低的电压，P—MOS衬底接最高电压，不一定和S极相连，所以DS之间不一定有寄生二极管。
-
10步法则：实用的MOSFET选型方法
功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低;P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂;P沟道可以直接驱动，驱动简单。
-
功率MOSFET线性区、完全导通区的电场和电流分布
MOSFET的漏极导通特性如图1所示，其工作特性有三个工作区：截止区、线性区和完全导通区。其中，线性区也称恒流区、饱和区、放大区；完全导通区也称可变电阻区。
-
不同输入电压，功率MOSFET关断dV/dT为什么不同？
中、高功率的电源电路经常使用有源功率因素校正PFC电路，提高电路的功率因素，减小谐波。PFC的高压功率MOSFET的开通和关断的状态，不但影响系统和效率，而且影响系统的EMI，和EMI相关的一个最重要的参数就是MOSFET开通和关断dV/dt。
-
典型开关mos电流波形的精细分析
反激开关MOSFET 源极流出的电流(Is)波形的转折点的分析。
-
大联大推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET
大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
-
如何正确测量MOSFET尖峰电压：探头及带宽设置
测量开关电源输出纹波和功率MOSFET的VDS、VGS电压的时候，通常要去除示波器探头的帽子，直接将探头的信号尖端和地线接触被测量位置的两端，减小地线的环路，从而减小空间耦合的干扰信号。
-
隔离式电源设计需要开发最好的拓扑
自从上世纪 60 年代开关模式电源 (SMPS) 问世以来，出现了几种我认为足以让设计人员为之兴奋的技术，即：磁集成（70年代）、软开关（70 年代）、MOSFET（70 年代）和数字控制（70 年代）。除了数字控制是为了提高电源智能性以外，其它几项技术都是为了从更小的尺寸中获得更多的电源。
-
电子元器件持续缺货涨价，MOSFET驱动IC首季涨价
去年引爆的电子零组件缺货、涨价风潮至今不停歇， MOSFET因国际大厂退出，自去年下半年起供给渐趋吃紧，加上受到晶圆代工及EPI硅晶圆产能不足限制，市场供不应求压力持续上扬，报价也自今年首季起真正开始起涨。进入第二季后，在超威、英特尔与NVIDIA推出新平台的推波助澜下，MOSFET供应缺口将更趋严重，MOSFET业者订单可见度达到今年第三季，产品报价也将顺利在第二季调涨，涨幅约在5～10%。
