原创
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云计算能否保证数据安全?云计算需规模化!
一直以来，云计算都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来云计算的相关介绍，详细内容请看下文。
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万物电气化，AI赋能时——MATLAB中国区用户大会分享
MATLAB是“Matrix Laboratory”的缩写，正如其命名所示，最初使命仅仅是一个交互式的矩阵计算器。1981年Dr. Cleve Moler基于兴趣爱好和教学需求将其设计出来，最初包含的71个文字和函数可供学生们直接使用，而无需重新编译、加载和执行等过程。
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智能断路器为何可替代传统断路器?智能断路器如何接线?
今天，小编将在这篇文章中为大家带来智能断路器的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对智能断路器具备清晰的认识，主要内容如下。
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断路器失灵保护启动条件有哪些?智能断路器用电安全重要性介绍
智能断路器将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对智能断路器的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
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物联网技术下的智能断路器有何功能?和塑壳断路器有何区别?
在这篇文章中，小编将对智能断路器的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对智能断路器的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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智能断路器失灵保护配置原则有哪些?施耐德EvoPacT智能断路器有何特点
一直以来，智能断路器都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来智能断路器的相关介绍，详细内容请看下文。
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智能断路器工作原理是什么?施耐德推出最新智能断路器!
在下述的内容中，小编将会对智能断路器的相关消息予以报道，如果智能断路器是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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IGBT 基础教程：第 1 部分如何选择 IGBT
IGBT全称叫绝缘栅双极型晶体管，是一种复合型结构器件，它结合了MOS晶体管和BJT双极型晶体管的优点，在电压电流转换，电能输出领域用的非常多，特别是在高压大电流领域，IGBT占主导地位，是人类控制电能，利用电能的核心半导体器件之一，这种主要应用在电子电力转换领域的半导体器件，我们统称功率半导体
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IGBT 基础教程：第 2 部分IGBT概述
N 沟道 IGBT 基本上是构建在 p 型衬底上的 N 沟道功率 MOSFET，的通用 IGBT 横截面所示。（PT IGBT 有一个额外的 n+ 层，将在后面说明。）因此，IGBT 的操作与功率 MOSFET 非常相似。从发射极施加到栅极端子的正电压导致电子被拉向体区中的栅极端子。
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IGBT 基础教程：第 3 部分PT与NPT芯片介绍
所谓PT(PunchThrough，穿通型)，是指电场穿透了N-漂移区，电子与空穴的主要汇合点在N一区。NPT在实验室实现的时间(1982年)要早于PT(1985)，但技术上的原因使得PT规模商用化的时间比NPT早，所以第1代IGBT产品以PT型为主。PT-IGBT很好地解决了IGBT的闩锁问题，但是需要增加外延层厚度，技术复杂，成本也高。IGBT芯片中的外延层与电压规格是直接相关的，电压规格越高、外延层越厚，IZOOV、2000V的PT-IGBT外延层厚度分别达到了100μm和200μm。
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IGBT 基础教程：第 4 部分数据表中有关 IGBT的特性一
从APT 提供的数据表旨在包含对电源电路设计人员有用且方便的相关信息，用于选择合适的器件以及预测其在应用中的性能。提供图表以使设计人员能够从一组操作条件外推到另一组操作条件。应该注意的是，测试结果非常依赖于电路，尤其是寄生发射极电感，以及寄生集电极电感和栅极驱动电路设计和布局。不同的测试电路产生不同的结果。
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IGBT 基础教程：第 5 部分数据表中有关 IGBT的特性二
从APT 提供的数据表旨在包含对电源电路设计人员有用且方便的相关信息，用于选择合适的器件以及预测其在应用中的性能。提供图表以使设计人员能够从一组操作条件外推到另一组操作条件。应该注意的是，测试结果非常依赖于电路，尤其是寄生发射极电感，以及寄生集电极电感和栅极驱动电路设计和布局。不同的测试电路产生不同的结果。
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IGBT 基础教程：第 6 部分IGBT静态特性
IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压 的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似.也 可分为饱和区 1 、放大区2和击穿特性3部分。在截止 下的IGBT ，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。 无N+缓冲区，则正反向阻断电压 做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平， 限制了IGBT的某些应用范围。
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IGBT 基础教程：第 7 部分IGBT动态特性
一个等效的 IBGT 模型，其中包括端子之间的电容。输入、输出和反向传输电容是这些电容的组合。数据表中规定了测量电容的测试条件。
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IGBT 基础教程：第 8 部分IGBT热和机械特性
这是从芯片结到器件外壳外部的热阻。热量是设备本身功率损失的结果，热阻与基于这种功率损失的芯片的热度有关。之所以称为热阻，是因为使用电气模型根据稳态功率损耗预测温升。
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