群光电能采用英飞凌CoolGaN™ G5晶体管，为一线笔记本品牌打造高功率适配器

【2026年3月13日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)近日宣布，全球领先的笔记本适配器制造商群光电能已采用其CoolGaN™ G5晶体管，为核心客户提供多款笔记本适配器。该设计方案展示了氮化镓(GaN)功率半导体如何加速向更紧凑、更节能的充电解决方案转型，从而使主流计算设备实现更小的尺寸和更好的可持续性。

笔记本适配器

这款新适配器设计方案的核心是专为在各种工作条件下实现快速开关和低导通损耗而设计的英飞凌CoolGaN™ G5晶体管。英飞凌的高压(HV)GaN晶体管采用名为混合漏极GIT(栅极注入晶体管)的高性能基础设计，可提供极高可靠性的高压栅极性能、出色的动态导通电阻(RDS(on))表现与硬开关性能，以及显著提升的饱和电流，从而全面提升了器件的可靠性。基于此，英飞凌最新高压系列G5晶体管的标准性能指标(如RDS(on) *Qg)较前代产品最多可提升30%。

英飞凌科技氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“CoolGaN™ G5晶体管体现了我们对可靠、高性能功率半导体的承诺。此次与群光电能合作为头部客户的适配器供货，凸显了氮化镓技术如何在确保稳定性的前提下，为终端用户带来更小体积、更快充电、更低能耗的实际效益。”

群光电能研发副总裁王洋表示：“英飞凌CoolGaN™ G5晶体管为我们提供了充足的设计余量，使我们能够在紧凑的尺寸内实现更高的功率密度和效率。此次合作帮助我们打造出符合笔记本客户高端用户体验期望的充电解决方案。”

基于群光电能的设计能力和英飞凌高压G5 GaN晶体管，该方案的工程亮点包括：运用GaN的快速开关特性，优化PFC和DC/DC级的高频电源架构;充分考虑EMI的设计，通过优化布局、滤波和开关波形，实现低噪声并满足严格的电磁兼容标准;以及能够在紧凑型机械外壳中实现更低温度下的运行，并能够保持在100-300W持续输出功率的热管理优化方案。

英飞凌拥有强大的产品组合，过去一年已发布逾40款GaN新产品，是对于寻求优质GaN解决方案的客户来说首选的合作伙伴。公司正按计划推进GaN 300 mm晶圆规模化制造，首批样品已交付客户。300 mm GaN工艺可显著提升高质量GaN产品的产能和交付速度，进一步巩固英飞凌在GaN市场的领导地位。