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[导读]高压放大器将是下述内容的主要介绍对象,通过这篇文章,小编希望大家可以对它的相关情况以及信息有所认识和了解,详细内容如下。

高压放大器将是下述内容的主要介绍对象,通过这篇文章,小编希望大家可以对它的相关情况以及信息有所认识和了解,详细内容如下。

一、为何高压放大器输出电压与带宽难以兼顾

高压放大器的输出电压和带宽很难同时提高,本质是高压条件带来的寄生参数、器件特性与动态响应之间的固有矛盾,属于物理层面的制约。

首先,高压功率器件本身存在较大寄生电容。为承受高电压,器件的芯片面积、结电容、栅电容都会明显增大。电容的存在会让高频信号被衰减、相位滞后,导致带宽随耐压等级升高而下降,这是最根本的原因。

其次,输出电压越高,压摆率受限越明显。压摆率是电压变化的最大速率,高压输出需要更长时间才能完成充放电,直接限制了最高工作频率,带宽也就无法提高。

第三,负载多为容性,进一步拉低带宽。高压放大器常驱动压电陶瓷、MEMS 等容性负载,容抗随频率升高而降低,高频下相当于加重负载,使放大器更难快速响应,带宽进一步下降。

第四,高压下电路寄生参数影响剧增。线路寄生电感、布线电容、器件封装电感在高频时会形成谐振、尖峰和振荡,为保证稳定,必须降低带宽或增加补偿,进一步牺牲高频性能。

第五,散热与功耗限制高频工作。高压、高频同时工作会让开关损耗、充放电损耗急剧增加,发热严重,为保证可靠性,只能降低频率或限制电压,无法长期满幅满带宽运行。

二、提高高压放大器带宽的主要技术

提高高压放大器带宽,核心思路是减小寄生电容、缩短电压建立时间、优化环路增益、提升驱动能力,常用技术如下:

1、选用高频特性更好的高压器件

高压 MOSFET、高压运放的结电容、栅电容越小,高频衰减越弱。选用快恢复、低电容、高 ft的高压器件,可从硬件上提升高频响应,是提高带宽的基础。

2、优化电路拓扑结构

采用推挽、桥式、差分放大等结构,降低单管承受的电压应力,减小器件电容带来的影响。使用电流反馈结构替代电压反馈,可大幅提升带宽,且不易随增益升高而下降。

3、减小输出端电容与负载效应

通过驱动级预放大、输出级强电流驱动,加快对寄生电容和容性负载的充放电速度,减少电压建立时间,提升高频下的带载能力。同时缩短功率走线,降低布线寄生电容。

4、合理设计相位补偿与环路增益

传统深度补偿会限制带宽,采用超前补偿、零极点对消等方法,在保证稳定的前提下,减小相位裕量损耗,扩展环路的高频增益,从而提升带宽。

5、采用多级宽带放大结构

将高压增益分配到前级低压宽频放大 + 后级高压功率放大,前级实现高带宽,后级专注高压输出,既保证电压能力,又提升整体频率特性。

6、高频驱动与栅极优化优化

驱动电路,降低驱动电阻,加快开关管充放电速度,减少上升 / 下降时间,降低高频损耗与延时,使放大器在高频下仍能快速响应。

最后,小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读,对小编来说都是莫大的鼓励和鼓舞。希望大家对高压放大器已经具备了初步的认识,最后的最后,祝大家有个精彩的一天。

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