SiC赋能：晶丰明源推出大功率内置碳化硅产品BP3532GC，打造200W反激恒压电源应用

[导读]当前第三代半导体产业迎来广阔发展机遇，碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）凭借高频、高功率、低损耗等优异特性，已成为车载快充、数据中心及能源领域能效升级的核心关键材料。相较于传统硅基 MOSFET，碳化硅器件更具备高频低损耗、耐高温、高耐压、高功率密度及高可靠性等突出优势，在大功率电源应用中可显著提升转换效率、缩小产品体积、降低系统成本，是新一代高效电源的理想

当前第三代半导体产业迎来广阔发展机遇，碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）凭借高频、高功率、低损耗等优异特性，已成为车载快充、数据中心及能源领域能效升级的核心关键材料。相较于传统硅基 MOSFET，碳化硅器件更具备高频低损耗、耐高温、高耐压、高功率密度及高可靠性等突出优势，在大功率电源应用中可显著提升转换效率、缩小产品体积、降低系统成本，是新一代高效电源的理想技术方案。

晶丰明源结合碳化硅 SiC MOSFET 器件优势，率先推出 BP3532GC、BP3532HC 系列产品。方案在全功率范围内采用准谐振谷底导通与混合频率调节模式，集成恒压 + 恒流双闭环反馈控制，实现高精度电压输出与稳定的过载恒流控制；结合先进大贴片 EHSOP10 封装，在 200W 反激恒压电源应用中，系统效率可达 93% 以上，体积缩减 30%，有效拓展终端应用场景，进一步提升电源整体性能与可靠性。

大功率内置碳化硅产品BP3532GC/BP3532HC

目标应用：赋能多元恒压照明场景本系列方案主要针对高性能恒压驱动市场，目标应用包括：

恒压灯带照明
橱卫照明驱动
开关电源

图1. 两级高PF隔离恒压应用电路图

图2. 单级低PF隔离恒压应用电路图（200W 24V/8.3A）核心性能：效率提升

内置直驱800V SiC MOSFET，支持高频(<150KHz)工作，有效提升电源功率密度
全功率范围内QR CRM/DCM模式工作，单级低PF应用，效率>93%
副边输出整流管尖峰低，可以用低耐压MOSFET，提高系统效率
BP3532GC集成恒压+恒流双反馈功能，双重过功率保护
优化满载和空载Burst mode噪音，待机功耗低至<0.3W
BP3532GC集成高压启动和输入欠压自动降功率保护
集成输出开路保护，短路保护和系统异常过温等多重保护功能

图3. EHSOP-10封装（BP3532GC）全系列Demo方案

晶丰明源提供覆盖100W至200W的完整参考方案，满足不同功率段的设计需求：

200W方案：BP3532HC+BP62110S

（长宽高-140mm x 50mm x 14mm） 150W方案：BP3532GC + BP62110S

（长宽高- 154mm x 30.5mm x 11mm）108W方案：BP2632GC + BP3532GC + BP62110S

（长宽高：175mm x 56mm x 13mm）方案实测数据效率曲线全功率范围内谷底导通模式工作，单级低PF应用，系统效率>93%。BP3532GC在 200W /150w反激恒压电源方案中实现了系统效率大于93% 的优异表现。这得益于芯片内置直驱800V SiC MOSFET，和全功率范围内，全程实现 MOSFET准谐振谷底导通控制，显著降低了开关损耗。

<< 滑动查看效率曲线 - 200W/150W/100W >>
输出负载调整率曲线BP3532GC集成恒压+恒流双反馈功能。当输出功率从轻载逐渐增大满载时，输出电压保持稳定；当功率超过恒流设定点之后，芯片进入恒流反馈模式，输出电流维持最大恒流值，输出电压开始平滑下降，当VCC电压降至VCC_UVLO后停止输出。整个过程线性过渡、无跳变，实现了电源在过载情况下保持输出精准的恒流保护功能。

<< 滑动查看单级200W/150W带CC输出负载调整率曲线 >>
空载功耗优化满载和空载Burst mode噪音，待机功耗低至<0.3W

<< 滑动查看空载功耗 - 200/150/100W >>
输入欠压自动降功率保护BP3532GC兼容宽输入电压应用，当输入电压跌落时，芯片根据输入电压的降低程度，自动减小输出电流。能够保证在低输入电压时，确保电源仍能安全、可靠地运行。

过温保护

BP3532GC 集成芯片内部温度检测与保护机制。当系统工作温度超过设定阈值时，芯片自动触发过温保护，及时关断输出，防止电源因过热而损坏。待温度回落至安全区间后，电源可自动恢复工作。可保证电源在高温环境或异常情况下的可靠性与安全性。

短路保护BP3532GC内置多种保护功能，包括输出开路/短路保护，VCC欠压/过压保护，CS开路保护、副边二极管/副边绕组短路保护。

<< 滑动查看主要工作波形 >>
BP3532GC全程谷底开通，效率高BP3532GC 在全功率范围内, MOSFET 都在最低谷底电压点开通，有效降低了开关损耗，从而显著提升系统效率。同时，这一控制方式使副边同步整流 MOS 管的电压尖峰大幅降低，对 MOS 管的耐压要求也随之下降，允许选用更低耐压、更低成本的同步整流管，在提升可靠性的同时优化了系统成本。下图图1为带轻载时BP3532GC的VDS波形，为谷底导通。图2为同步整流DRAIN脚开机波形，无尖峰；图3为同步整流DRAIN脚关机波形，无尖峰。