意法半导体推出新型电隔离栅极驱动器，借助先进隔离技术简化电源设计

2026年8月7日，中国——意法半导体（STMicroelectronics）扩展了 STGAP3S 栅极驱动器系列，该系列采用增强型电隔离设计，提升可靠性；此次推出的是一款高效且经济的 3A 驱动能力产品，适用于需要较低驱动电流的电路。新产品 STGAP3S3S 针对碳化硅（SiC）MOSFET 进行了优化，而 STGAP3S3IF 则适用于 IGBT。

所有 STGAP3S 驱动器均可在高达 1200V 的高压母线电路中工作，适用于功率因数校正（PFC）、电源、DC/DC 转换器和逆变器等应用。包括 UL 1577 和IEC 60747-17 在内的国际安全与绝缘认证，独立验证了其强隔离性能、安全运行能力以及在高电压下长期可靠的表现。典型应用包括充电站、储能系统（ESS）、太阳能逆变器、叉车等工业电动车、感应加热设备，以及通用驱动、泵和风机等。

意法半导体先进的加强绝缘隔离技术可保护功率级电路免受高达 9.6kV 的瞬态干扰，并确保高达 200V/ns 的共模瞬态抗扰度（CMTI）。该系列包含三种驱动能力版本，分别可提供最高 10A、6A 和新增加的 3A 灌/拉电流能力，每种版本均配有针对 IGBT 和碳化硅 MOSFET 优化的型号。

全新的 STGAP3S3 系列具有 3A 驱动能力，集成主动米勒钳位功能，包括钳位 MOSFET，可防止功率开关发生不希望的感应导通，从而避免直通电流。集成 MOSFET 可节省 PCB 空间、简化电路设计并降低物料清单成本，同时在高达 3A 的栅极驱动条件下仍能提供合适的钳位性能。6A 的 STGAP3S6 和 10A 的 STGAP3SX 系列则内置用于外部 MOSFET 的预驱动器，可在高栅极驱动电流系统中为钳位速度优化提供更大的灵活性。

所有 STGAP3S 驱动器都具备去饱和检测和软关断功能，以确保电压和电流的受控转换，从而在危险的过载或短路情况下保护功率开关。6A 和 10A 驱动器，以及面向SiC MOSFET 的新款 3A 驱动器，允许设计人员连接外部电阻，以优化软关断速度。

所有器件都配有诊断引脚，可指示去饱和保护、欠压锁定（UVLO）和过热关断是否处于激活状态。驱动器支持负栅极电压，可进一步增强对误导通的抑制，在故障关断期间保护器件，并确保在正常关断过程中实现稳健开关且无振铃。

每款 STGAP3S 驱动器都提供评估板，包括最新的 3A 型号。这两款评估板 EVLSTGAP3S3S 和 EVLSTGAP3S3IF 均为半桥板，已预先配置好保护功能，并提供测试点和诊断 LED 以辅助开发。

完整的 STGAP3S 系列现已量产，可用于驱动 IGBT 和SiC MOSFET，包括 STGAP3S3、STGAP3S6 和 STGAP3SX 系列。该系列器件采用 SO16W 宽体封装，更多信息请访问：www.st.com/stgap3s

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