晶丰明源推出第二代100A Smart Power Stage BPD87500E，赋能AI算力高功率密度供电

随着人工智能、云计算、自动驾驶等前沿技术快速发展，市场对核心处理器（包括CPU、GPU、DPU及ASIC等）的计算能力提出了近乎指数级增长的需求。一方面，持续增长的功耗推动供电电流不断提高；另一方面，有限的PCB空间和更高的能源效率目标，又要求电源系统具备更高功率密度、更低损耗及更强可靠性。

面对新一代算力平台的发展需求，晶丰明源推出第二代4mm×6mm通用封装100A Smart Power Stage智能功率级产品——BPD87500E。第二代产品并非单纯提升电流输出能力，而是通过LDMOS工艺迭代与全新Co-Pack封装，从器件结构、封装回路到电气性能进行系统升级，在紧凑尺寸下提供100A的电流输出能力，并进一步优化制造质量、效率、功率密度、动态性能及可靠性，助力客户设计出具有更高功率密度和成本优势的产品。

BPD87500E采用4mm×6mm通用封装，在紧凑尺寸下实现100A的电流输出能力，可满足新一代高性能计算平台对高电流、高效率供电的需求。

但对于100A等级Smart Power Stage而言，电流能力只是基础。高电流工作同时意味着更大的导通损耗、更高的热管理压力以及更严苛的器件可靠性要求。因此，第二代产品的核心升级并不是单一指标的提高，而是围绕高电流应用下的综合性能进行技术迭代。

• BPD87500E输入电压范围: 3~16V

• 100A电流能力

• 至高2MHz高频工作

• 集成电流检测(IMON, 5μA/A)

• 集成温度检测(TSNS, 8mV/°C)

• 过流保护(OCP)

• 过温保护(OTP)

• BOOT欠压保护

• PWM长高超时保护
  

LDMOS工艺优化

全新Co-Pack封装，提升高电流应用表现

除了工艺升级，晶丰明源第二代Smart Power Stage还采用全新Co-Pack封装架构。相比第一代单晶圆+基板（Substrate）方案，以及行业普遍采用的多晶圆+框架（Leadframe）方案，全新Co-Pack封装融合两者优势，采用多晶圆+基板（Substrate）设计，在性能、成本及研发效率之间实现更优平衡。

其关键优化包括：

• 减少功率器件晶圆光刻次数，提升晶圆制造质量和良率；

• 功率器件独立优化，大幅降低Rdson，提升电流能力；

• 合理布局，缩短回路，降低寄生；

• LDMOS与Gate Driver组合更加灵活，加快新品研发进度；

• 简化封装结构，提升良率，降低成本。

得益于LDMOS工艺与Co-Pack封装技术，BPD87500E围绕转换效率及动态性能进行了多维度验证，进一步体现第二代SPS产品在高电流应用下的综合性能优化。

更小导通阻抗

BPD87500E采用第二代LDMOS工艺平台与全新Co-Pack封装架构，功率器件性能提升明显。相较于第一代单晶圆+基板方案产品BPD80590，BPD87500E的上下管阻抗大幅降低，从而提升重载效率。

更高转换效率

得益于显著减小的上下管阻抗，BPD87500E在VIN=12V应用和2 phase常用的负载范围80A~100A下，效率较上一代产品BPD80590有大幅提升，且已超越主流竞品。对于AI服务器、GPU等高性能计算平台而言，在实际高负载工作区间保持较好的效率表现，对于系统功耗与散热设计具有重要意义。同时，BPD87500E上下管BV电压也具有优势，满足12V应用需求，保障其可靠性。

在VIN=6V应用场景中，BPD87500E同样保持优异效率表现，为AI服务器低压供电架构提供更高能效支持。

高精度IMON，提升动态性能

IMON承担电感电流检测与反馈功能，其准确性直接关系到系统对负载变化的感知能力。BPD87500E集成高精度IMON，在稳态与动态条件下均能够精准跟随电感电流变化，为控制环路提供更准确的电流信息，保障系统的稳定工作与更优的动态性能。

从AI服务器到高性能GPU，从高电流Vcore供电到高功率密度电源设计，算力平台对电源器件的要求正在从“更大电流”进一步走向“更高质量、更高效率、更高功率密度、更优动态性能与更高可靠性”的综合平衡。

晶丰明源推出的第二代4mm x 6mm通用封装100A Smart Power Stage智能功率级产品BPD87500E，基于LDMOS工艺和全新的Co-Pack封装，产品质量更高、阻抗更小、效率更高、功率密度更高、可靠性更好、成本更优，为客户提供更有竞争力的电源解决方案。

未来，晶丰明源将持续深耕，不断推动工艺、封装与产品创新，为AI服务器、高性能计算及更多智能应用提供高效、可靠的电源产品，助力下一代算力基础设施持续发展。