美光发布新的存储芯片，业界首款232层3D NAND Flash芯片年底量产

近日，芯片" target="_blank">存储芯片大厂美光(Micron)发布表了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，并计划将这款 232 层堆栈 3D NAND Flash芯片应用于包括固态硬盘等产品上，预计在 2022 年底左右开始量产。

据介绍，这款232 层堆栈的 3D NAND Flash采用的是3D TLC 架构，原始容量为 1Tb(128GB)。而且，该存储器基于美光的 CuA 架构，并使用 NAND 字符串堆栈技术，在彼此的顶部建立两个 3D NAND 阵列。而在 CuA 设计的 232 层堆栈的3D NAND Flash中，将大大减少美光 1Tb 3D TLC NAND Flash 的尺寸，这有望于降低生产成本，使美光能够对采用这些存储器的设备进行更有竞争力的定价，或者增加其利润率。

不过，美光并没有宣布其新的 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片的 I/O 速度或平面数量，但暗示与现有的 3D NAND Flash相比，新的存储器将提供更高的性能，这对采用 PCIe 5.0 界面的下一代 SSD 特别有用。此外，美光还强调 232 层堆栈的 3D NAND Flash将比上一代的产品更功耗更低，使用在低功耗产品上更具节能优势。

美光是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘和CMOS影像传感器，总公司(Micron Technology, Inc.)设于美国西北部爱达荷州的首府博伊西。2022年，美光已加入名为 Mitre Engenuity 的半导体联盟，目的是增强美国半导体行业的弹性。建立一个更强大的美国半导体行业，在美国培育先进的制造业，并在全球竞争加剧的背景下保护知识产权。

数字存储器的价格将呈现上升趋势，与过去的周期性形成鲜明对比。数字存储器已经成为我们以数据为中心的生活的支柱——无论是我们的5G手机还是云中采用的人工智能，所有额外的数据都需要存储在数字存储器上(NAND或非易失性闪存)，然后进行处理(DRAM或动态随机存取存储器)。简而言之，数字存储器在消费者和企业的生活中扮演着越来越重要的角色。数字存储器的供应已经从无数努力跟上快速变化的技术格局的玩家，整合到一个纪律严明的供应商寡头垄断的局面，这些供应商渴望从当今制造DRAM/NAND所需的巨额资本支出中获得可观的回报。DRAM/NAND的成本结构远比投入成本更依赖于制造效率。美光对其成本基础的控制比其他消费品公司更强，后者面临着无数的原材料投入。与卡夫亨氏(Kraft Heinz)或麦当劳等可能因各种原材料价格上涨而面临利润压缩的公司相比，这使得美光维持/提高利润的运营风险要小得多。美光的评级(EV/EBITDA比率)异常低，尤其是考虑到其未来的收益状况。在市场评级下调的情况下，这都会为美光投资者带来出色的风险回报主张。

2022 财年第二财季，美光科技收入为 78 亿美元，较上年同期增长 25%，高于该公司 75 亿美元的目标。GAAP 下净利润 22.6 亿美元，或每股摊薄收益 2.00 美元;Non- GAAP 下净利润为 24.4 亿美元，或每股摊薄收益 2.14 美元，高于上年同期的 98 美分，也高于公司预估的 1.95 美元。GAAP 下，该公司每股收益为 2 美元，高于上年同期的 53 美分。Non- GAAP 下，毛利率从第一财季的 47% 和 2020 年同期的 32.9% 上升至 47.8%。第二财季，DRAM 收入较上年同期增长 29%，占总收入的 73%。NAND 闪存的收入增长了 19%。第二财季 DRAM 的平均售价环比下降了 5% 左右，而 NAND 的平均售价则上升了 5% 左右。与数据中心应用程序相关的收入在本季度增长了 60% 以上，而个人电脑需求也随着企业电脑销量的增长而有所改善。美光科技表示，在汽车零部件领域的收入创下了纪录，而工业领域的收入增长了约 60%。

美光补充称，该公司在本财年 “有望实现创纪录的收入和强劲的盈利”，在本财年下半年 “将实现出货量增长强劲”。该公司预计，2022 年 DRAM 的位元成长率将在 15% 至 15% 之间，NAND 内存的位元成长率需求约为 30%。