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[导读]网络通信、数据通信和工业电源正推动功率密度增加,而这正是云和5G计算所需。碳化硅(SiC)二极管用于功率因数校正(PFC)级,而氮化镓(GaN)/ SiC FET 也正在成为图腾柱和LLC级的选项。

网络通信、数据通信和工业电源正推动功率密度增加,而这正是云和5G计算所需。碳化硅(SiC)二极管用于功率因数校正(PFC)级,而氮化镓(GaN)/ SiC FET 也正在成为图腾柱和LLC级的选项。

如今的设计人员都致力于符合80Plus Titanium标准,以及提高功率密度。标准密度为大约5到15个2到4千瓦的1单元服务器。而实际上,我们正在推进突破极限,迈向4到6个刀片服务器的超高密度,这些是15到30千瓦的可交换服务器。这些趋势、功率水平和能效都在推进服务器和工业电源市场。

宽禁带用于服务器和工业电源

当我们深入探讨服务器和工业电源拓扑结构,我们会发现,SiC用于PFC级的优点包括:达98%的更高能效,更高频率,更高功率密度,双向电力流向,以及更少器件数。

宽禁带用于服务器和工业电源

安森美半导体拥有很广泛的产品阵容
从二极管到MOSFET。我们的二极管包括650V和1200V,通孔,表面贴装,裸片和模块;我们已推出的MOSFET有1200V和900V,不久还要推出650V。

我们的所有产品,都有很高的质量和可靠性水平,并会进行AEC-Q101测试。

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