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[导读]根据3月17日的报道,三星电子今天宣布已开始大量生产用于智能手机的512 GB eUFS 3.1集成通用闪存。

根据3月17日的报道,三星电子今天宣布已开始大量生产用于智能手机的512 GB eUFS 3.1集成通用闪存。

UFS3.1是固态技术协会(JEDEC)发布的一种闪存存储规范,对比前一代UFS 3.0,UFS3.1的写速提升了200%,达到了惊人的1200MB/s,连续读取速度可达2100MB/s,随机读取和写入速度分别为100,000 IOPS(每秒输入/输出操作)和70,000 IOPS,在读写速度上都有着明显的提升,不论是文件传输效率或者应用的启动速度,都能得到全面的提升,让用户获得更好的使用体验。

UFS3.1被认为是2020年旗舰手机的首选,并且可能更适合于8K视频录制、高像素相机和5G应用场景。 三星宣布已在西安的新生产线(X2)上开始批量生产第五代V-NAND,以完全满足高端智能手机市场的存储需求。

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