英特尔介绍Foveros封装技术：大幅降低成本，提升产品上市速度

4月11日消息 在日前举行的英特尔年度战略“纷享会”上，官方介绍了其先进封装技术。英特尔表示目前有两种封装技术可以使用，一是EMIB，另外就是Foveros。

英特尔中国研究院院长宋继强表示，EMIB可以想象是在一个水平层有很多种不同功能的芯片，但并不是互相之间拉很多线进行连接，而是通过EMIB。只有一个米粒大的芯片嵌入其中，提供高带宽、低功耗的连接，这是一个2.5D的封装技术。

Foveros技术则是在盖高楼，在垂直方向上用好几种新的技术让它提供高带宽、低功耗的芯片连接。英特尔Foveros 3D堆叠封装技术，可以通过在水平布置的芯片之上垂直安置更多面积更小、功能更简单的小芯片来让方案整体具备更完整的功能。官方表示，除了功能性的提升之外，Foveros技术对于产业来说最迷人的地方在于他可以将过去漫长的重新设计、测试、流片过程统统省去，直接将不同IP、不同工艺的各种成熟方案封装在一起，从而大幅降低成本并提升产品上市速度。

了解到，去年7月份，英特尔还推出了将EMIB和Foveros技术相结合的创新应用技术——Co-EMIB。Co-EMIB技术可以理解为EMIB和Foveros两项技术的结合，在水平物理层互连和垂直互连的同时，实现Foveros 3D堆叠之间的水平互连。这样一来不管是2D水平互连还是3D堆叠互连，单片与单片之间都可以实现近乎于SoC级高度整合的低功耗、高带宽、高性能表现，为芯片封装带来绝佳的灵活性。