开关电源设计：玩转SiC MOSFET我有特别的技巧（在线研讨会）

【ROHM在线研讨会】

将于5月28日重磅开启！

以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体

具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能 

材料方面

高品质 4 英寸衬底全面商业化

6 英寸衬底的商业化也在持续推进

产业方面

国际企业纷纷加强在第三代半导体领域的布局

SiC 成为巨头布局热点

产能大幅增加

产品供应上量，价差持续缩小

SiC产品性价比开始凸显

商用的SiC半导体器件

有SiC肖特基二极管

SiC JFET及SiC MOSFET

SiC MOSFET相比Si MOSFET的明显优势包括

更小的导通电阻、更快的开关过程

更小的寄生电容、更高的工作温度

更好的二极管反向恢复特性 

缺点包括

更高的反向二极管导通压降、驱动电路更复杂、系统对于杂散参数更加敏感。

 这么复杂？

想要学习使用SiC MOSFET设计开关电源？

那么快来加入这次研讨会吧！ 

 高耐压、高效率SiC MOSFET准谐振电源方案

2020-05-28 10:00:00

 顾伟俊

罗姆半导体（上海）有限公司

设计中心工程师

资深SiC领域专家 ROHM技术研讨会主讲师。多年从事SiC研究，拥有非常丰富的SiC应用经验。现任“ROHM技术研讨会”SiC MOSFET部分的讲师。在全国范围内成功举办了多场研讨会。希望通过在线研讨会的形式，突破地域的局限，与更多的同行分享工作中的心得和体会。