三安光电表示Mini及MicroLED将是公司未来重点发展方向

4月25日，三安光电宣布与湖北省葛店经济技术开发区管理委员会签订项目投资合同，投资总额120亿元。根据合同约定，三安光电将在湖北省葛店经济技术开发区管理委员会辖区内投资兴办III－V族化合物半导体项目，主要生产经营Mini／Micro LED外延与芯片产品及相关应用的研发、生产、销售。

三安光电表示，Mini／Micro LED是公司未来重点发展方向之一。本次投资项目符合国家产业政策规划，符合公司产业发展方向和发展战略，有利于改善公司产品结构，提升公司核心竞争力，巩固公司行业地位。

早在2018年9月，据业内人士称，三安光电将在2019年第一季度建立首条Micro LED外延片和芯片生产线。

据消息称，三安已经开发出了直径为20微米的Micro LED产品；与此同时，三安还将生产4微米LED和10微米的LED倒装芯片。

此外，截止到2018年9月，三安已申请27项Micro LED专利，并计划在2019年年底前开始生产用于智能可穿戴设备、100英寸以上大尺寸面板和汽车尾灯等小尺寸面板的Micro LED产品。

早在2018年2月，三安光电已与三星电子签订《预付款协议》合同，三星电子支付厦门三安 1683万美元预付款，以换取厦门三安产线生产一定数量的用于显示屏的LED芯片，若三星电子每月的订单量超过协议约定的最高数量，双方将提前讨论扩产的条件。厦门三安和三星电子将持续讨论 Micro LED 战略合作，待厦门三安达到大规模量产产能时，三星电子将考虑厦门三安作为首要供应方，并协商探讨一个双方都可以接受的供应协议。

在2018年年报中，三安光电还称，Mini LED和Micro LED显示具有无拼缝、高亮度和无反射图像等特点，凭借产品的清晰度、画质、厚度、反应速度等方面优势，已逐渐从商业级显示切入消费级显示，而且下游应用企业也在大力推广，一旦规模化应用，前景将非常广阔。三安光电的全资子公司厦门三安与三星电子签订的《预付款协议》正在履行过程中，Micro LED出货量也在持续增长。

三安光电认为，LED主流研究方向主要在Mini LED、Micro LED等方面。在显示屏方面，与传统LED显示屏产品相比较，Mini LED和Micro LED存在着成本、价格、封装、防护、运输、安装、维护等一系列的优势，能够很好地解决传统 LED 显示存在的问题。而在背光模组方面，相同技术规格下，Mini LED、Micro LED背光的液晶电视面板价格，只有OLED电视面板价格的六至八成，饱和度、高动态范围都优于OLED，省电一半，具有异型切割特性，可实现曲面背光，其厚度与OLED相当。

Micro LED还适用于AR／VR头盔及智能手表等穿戴式装置荧幕，适合作为户外显示面板、头戴式显示器（HMD）、汽车抬头显示器（HUD）所用。特别是 Mini LED 将在2019至2020年进入高速发展阶段，随着技术的进步和成本的不断下降，未来有望带来 LED 行业新一轮爆发。

目前，Mini LED应用仍局限在高阶市场，比如专业电竞游戏显示器行业，市场渗透率大约在5％以内。Micro LED仍处于小批量样品阶段，还有技术瓶颈需要克服。这些产品只有通过降低成本，才能更快进入主流消费市场。”

而降成本则需要技术和资本的对接，具体来说有两点：一是靠规模效应，这需要一些品牌大厂、行业巨头前期做一些基础设施的投资，完善产业链的配套设施。二是通过干中学的经验曲线效应来降低成本，相关厂商、材料供应商、设备供应商都要思考如何在生产的各个环节提升良率水平和生产效率。

除了LED芯片之外，三安光电也加速布局化合物半导体领域。2014年，三安光电成立厦门三安集成电路有限公司，专门聚焦Ⅲ－Ⅴ族化合物在射频芯片、射频前端、电力电子以及光通信部分的应用。在要求低延时、高传输速度、多接入终端的5G运用场景中，三安光电的上述芯片产品都具有广泛应用。

三安集成电路有限公司总经理助理陈文欣说，试以华为为智能时代提出的“云、管、端”信息服务平台核心架构为例证。在“云”的层面，三安光电生产的光电接收、发射芯片是用以连接数据中心海量服务器的有源光缆的核心器件，而碳化硅基功率电力电子器件则可用于数据中心电源管理模块，会极大提升能源效率，降低数据中心能耗。

在“管”的层面，三安光电相关产品可以广泛应用于满足5G频谱及性能要求的射频宏基站、小基站的射频功率放大器、基站电源管理模块以及前传、中传相关高速光通讯器件中。

在“端”的层面，三安光电的芯片将广泛应用于各类5G数字终端的核心收发射频前端模块，例如在汽车产业中，体现在新能源汽车的车载定位、雷达、无线通讯模块以及电力电子能源系统。在5G手机等移动终端设备中，三安光电的半导体芯片可用于生产制造3D 结构光器件，用于支持射频前端模块（功放、滤波器），以及基于8K及以上分辨率的Micro LED显示模块。

陈文欣说，目前，三安光电在化合物半导体领域已拥有1700多件从芯片外延制造到全产业链条的主流专利积累，在相关知识产权保护方面居于国际领先、国内最前沿的地位。为充分利用全世界优秀人才，三安光电在全球成立五大研发中心：包括位于美国硅谷、波士顿的光通信领域研发中心和大功率照明的研发中心；在北欧致力于碳化硅衬底的制造和研发中心；在日本东京致力于射频前端的滤波器研发中心；在国内致力于厦门公司总部研发中心打造。凭借技术和先发优势，三安光电的集成电路产业已与美的电器等国内家电龙头企业、三星等通讯和显示领域的国际龙头企业展开长期战略合作。

面向未来数字世界和5G时代，三安光电希望发挥自身在化合物半导体芯片领域的技术优势与器件制造能力，为更多下游产业伙伴提供服务。未来三安光电核心价值，就在于化合物“芯动力”的规模化制造能力。为此，三安光电正紧抓在整个规模化制造能力方面的布局，其中三安泉州芯谷项目建设，就是其中浓墨重彩的一笔。

据悉，三安光电的高端半导体系列项目是“泉州芯谷”南安园区引进的首个龙头项目，总投资约333亿，2017年年底开工，计划五年内实现投产，七年内达产，经营期限不少于25年，将实现年销售收入达270亿元，税收约30亿元。

目前，三安泉州项目一期规划建设125万平米厂房，开工建设约100万平米，封顶约76万平米。即将试投产的7个主车间基本完成装修，动力辅助约10万平米基本建成，并开始设备安装。预计2019年6月份氮化镓、砷化镓项目开始试投产。

“从LED的应用，再到功率型化合物半导体在微波射频、电力电子、光通信领域应用的整套解决方案，三安光电希望给行业合作伙伴提供整套的5G布局解决方案，从而助力’数字中国’和智能时代的经济发展。”陈文欣说。