格罗方德 FinFET 工艺 12LP 终成，下半年流片

7月2日消息 当地时间 2020 年 6 月 30 日，格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）宣称其最先进的 FinFET 技术解决方案 12LP + 已完成技术鉴定，并已准备在下半年正式投产。

2018 年 8 月，格罗方德宣布无限期停止 7nm 工艺的投资研发，继而转向现有 14/12nm FinFET 工艺。据格罗方德称，12LP+ 建立在其 14nm/12LP 平台之上。LP12 + 针对人工智能 （AI）进行了优化，且在 AI 训练芯片领域通过了 IP 验证。

得益于性能驱动的区块优化组件、独立鳍片单元、新的低压 SRAM 和改进的模拟布局设计法则等优化，12LP + 相较于 12LP，实现了性能 20%的提升，占用面积减少 10%的进步。与 14LPP 相比，12LP + 可实现 10% 的封装密度提升和 6% 的频率提升。

另外，格罗方德也在拓展 12nmLP + 的 IP 产品组合，其中包括 PCIe 3/4/5、USB 2/3 主控芯片、HBM2/2e 显存、DDR/LPDDR4/4X 芯片、GDDR6 芯片等。

了解到，目前格罗方德旗下最先进的工厂是位于美国纽约的 Fab8。且上周他们在这附近又获得了一块未开发的土地购买选择权，面积约为 66 英亩，约 26.7 公顷。据媒体芯智讯称，Fab 8 或将会迎来扩建，且格罗方德方面也宣布计划于 2020 年下半月进行数次 12LP+ 流片试产。