浅析国产存储面临的挑战

当你与一位半导体存储器行业的老投资者交谈时，你会看到，他面对这个模棱两可行业所表现出的冷静态度。因为破坏利润的因素总是存在，而一些因素可能会压倒你在投资时候的乐观逻辑。

今天的话题之一是，NAND行业在其20多年的历史后进入了真正的转型时期之一。3D NAND正在成熟，带来了前所未有的高密度和低成本，从而在数据中心和移动设备中带来了新的机会。

在这些新应用的驱动下，TAM正在上升。在强劲的需求和一些产能限制的支撑下，利润也在上升。但并非每家公司都同样受益。

三星占据了40％的收入份额，利润份额可能更大。三星之下，是受到动荡波及的第二大生产商——东芝，正如我们先前所讨论的那样，东芝的动荡和竞争对手的技术优势为镁光和英特尔带来了黄金机会，让它们在行业中占据了一定比例的收入和利润份额。

这是好日子，对吗？没错，如果我们只考虑未来几年的话，的确如此，但是2020年以后呢？

在这项业务中，PE倍数总是受制于供应和需求的面对面的特性。随着物联网的兴起和数据中心的新机遇，需求似乎相对确定。但是供应怎么样？更大的密度与持续的技术进步可能吓到了一些人，但常常被人遗忘的是，从平面到3D的初始转换会增加40％的芯片成本，此后每一步推进的过程再从晶圆供应中减去10－15％。

总之，当行业最终将平面晶圆转换为2019年的第3代（在某些情况下是第4代）时，2016年130万wpm的NAND容量将缩小到仅500kwpm。

毫无疑问，NAND行业正在增加3D的容量——镁光和英特尔各自建立了新的3D制造厂，其他供应商也在增加。但问题是，行业纪律一直保持得很好。除此之外，我们面临着平面转换的中断和3D产量的问题，所有这些因素的结合使得2017年NAND比特的增长低于40％的复合年均增长率。

根据预测，排除现在的需求关系（即需求趋势为40－45％的复合年均增长率），行业未来的供应动力应当是以下因素的函数：

（1）晶圆厂设备供应商将更强的蚀刻带来，使得芯片层数在2018年内超越64层。

（2）字符串堆叠（String stacking）在3－4层的堆叠中有效。

（3）3D产量提高到与平面产量相等（90％ ＋），只有老牌厂商在吹嘘这一点。

（4）东芝的收购时间是否严重拖延了Flash Ventures的Fab 6。

如果所有这些因素都圆满解决，那么在2019年或2020年，行业可能处于供过于求的状况。如果问题并未解决，那么45％的需求很有可能压倒超过15－20％的供给量。现实应该在中间的某个地方，所以折中一下，我同意老牌厂商的同伴给出的几率。

无论如何，三星将得到40％的份额，但是镁光和英特尔可以从东芝、西部数据和SK海力士取得更多份额，前提是没有其他变化影响总供给方程。就我个人而言，（正如我所写的），我觉得需求将超过目前的估计，但即使我的乐观预测不成立，情况也是行业的健康牢牢掌握在供应商手中。即使所有的技术推动因素都实现了，对于供应商的稍许约束也将保持行业良好的利润。