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[导读]10月11日,中国领先的一站式IP和定制芯片领军企业芯动科技(INNOSILICON)官宣:已完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过,这是过去数月工艺迭代和共同努力后获得的里程碑成果。



10月11日,中国领先的一站式IP和定制芯片领军企业芯动科技(INNOSILICON)官宣:已完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过,这是过去数月工艺迭代和共同努力后获得的里程碑成果。

“N+1”是中芯国际对其第二代先进工艺的代号,其与现有的14nm工艺相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。

据官网信息,芯动科技是中国芯片IP和芯片定制的一站式领军企业,提供全球主流代工厂(台积电/三星/格芯/中芯国际/联华电子/英特尔/上海华力/武汉新芯等),从180nm到5nm工艺全套高速混合电路IP核和ASIC定制解决方案,尤其22nm以下FinFET工艺全覆盖,是迄今为止国内唯一具备两家代工厂(台积电、三星)5nm工艺库和设计流片能力的技术提供商。

芯动科技持续聚焦全球先进工艺芯片IP和定制,拥有自主全系列高带宽高性能计算IP技术,多次在先进工艺上填补国内空白,核心技术支持了全球客户数十亿颗高端SOC量产。

自2019年始,芯动在中芯N+1工艺尚待成熟的情况下,团队全程攻坚克难,投入数千万元设计优化,率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代,助力中芯国际突破N+1工艺良率瓶颈。如今,芯动科技基于国产N+1新工艺的率先里程碑NTO流片验证成功,为国产半导体生态链再立新功。

21ic家此前也曾报道,中芯国际针对其N+1代工艺进展曾公开回应,中芯国际表示2020年底小批量试产N+1工艺。那可以预见N+1量产的时间也将不会太远了。


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