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[导读]在热特性及测试条件过程中,IC 封装的热特性必须采用符合 JEDEC 标准的方法和设备进行测量。在不同的特定应用电路板上的热特性具有不同的结果。据了解 JEDEC 中定义的结构配置不是实际应用中的典型系统反映,而是为了保持一致性,应用了标准化的热分析和热测量方法。这有助于对比不同封装变化的热性能指标。

在热特性及测试条件过程中,IC 封装的热特性必须采用符合 JEDEC 标准的方法和设备进行测量。在不同的特定应用电路板上的热特性具有不同的结果。据了解 JEDEC 中定义的结构配置不是实际应用中的典型系统反映,而是为了保持一致性,应用了标准化的热分析和热测量方法。这有助于对比不同封装变化的热性能指标。

为确保产品的高可靠性,在选择 IC 封装时应考虑其热管理指标。所有 IC 在有功耗时都会发热,为了保证器件的结温低于最大允许温度,经由封装进行的从 IC 到周围环境的有效散热十分重要。本文有助于设计人员和客户理解 IC 热管理的基本概念。在讨论封装的热传导能力时,会从热阻和各“theta”值代表的含义入手,定义热特性的重要参数。本文还提供了热计算公式和数据,以便能够得到正确的结(管芯)温度、管壳(封装)温度和电路板温度。

热阻的重要性

半导体热管理技术涉及到热阻,热阻是描述物质热传导特性的一个重要指标。计算时,热阻用“Theta”表示,是由希腊语中“热”的拼写“thermos”衍生而来。热阻对我们来说特别重要。

IC 封装的热阻是衡量封装将管芯产生的热量传导至电路板或周围环境的能力的一个标准。给出不同两点的温度,则从其中一点到另外一点的热流量大小完全由热阻决定。如果已知一个 IC 封装的热阻,则根据给出的功耗和参考温度即可算出 IC 的结温。

Maxim 网站(制造商、布线、产品、QA/ 可靠性、采购信息)中给出了常用的 IC 热阻值。

定义

以下章节给出了 Theta (Θ)、Psi (Ψ)的定义,这些标准参数用来表示 IC 封装的热特性。

ΘJA 是结到周围环境的热阻,单位是°C/W。周围环境通常被看作热“地”点。ΘJA 取决于 IC 封装、电路板、空气流通、辐射和系统特性,通常辐射的影响可以忽略。ΘJA 专指自然条件下(没有加通风措施)的数值。

ΘJC 是结到管壳的热阻,管壳可以看作是封装外表面的一个特定点。ΘJC 取决于封装材料(引线框架、模塑材料、管芯粘接材料)和特定的封装设计(管芯厚度、裸焊盘、内部散热过孔、所用金属材料的热传导率)。

对带有引脚的封装来说,ΘJC 在管壳上的参考点位于塑料外壳延伸出来的 1 管脚,在标准的塑料封装中,ΘJC 的测量位置在 1 管脚处。对于带有裸焊盘的封装,ΘJC 的测量位置在裸焊盘表面的中心点。ΘJC 的测量是通过将封装直接放置于一个“无限吸热”的装置上进行的,该装置通常是一个液冷却的铜片,能够在无热阻的情况下吸收任意多少的热量。这种测量方法设定从管芯到封装表面的热传递全部由传导的方式进行。

注意ΘJC 表示的仅仅是散热通路到封装表面的电阻,因此ΘJC 总是小于ΘJA。ΘJC 表示是特定的、通过传导方式进行热传递的散热通路的热阻,而ΘJA 则表示的是通过传导、对流、辐射等方式进行热传递的散热通路的热阻。

ΘCA 是指从管壳到周围环境的热阻。ΘCA 包括从封装外表面到周围环境的所有散热通路的热阻。

根据上面给出的定义,我们可以知道:

ΘJA = ΘJC + ΘCA

ΘJB 是指从结到电路板的热阻,它对结到电路板的热通路进行了量化。通常ΘJB 的测量位置在电路板上靠近封装的 1 管脚处(与封装边沿的距离小于 1mm)。ΘJB 包括来自两个方面的热阻:从 IC 的结到封装底部参考点的热阻,以及贯穿封装底部的电路板的热阻。

测量ΘJB 时,首先阻断封装表面的热对流,并且在电路板距封装位置较远的一侧安装一个散热片。如下图 1 所示:

图 1. ΘJB 的测量过程示意图

ΨJB 是结到电路板的热特性参数,单位是°C/W。文章 JESD51-12–Guidelines for Reporting and Using Package Thermal Information,明确指出热特性参数与热阻是不同的。与热阻ΘJB 测量中的直接单通路不同,ΨJB 测量的元件功率通量是基于多条热通路的。由于这些ΨJB 的热通路中包括封装顶部的热对流,因此更加便于用户的应用。关于ΨJB 参数的更多详细说明请参考 JEDEC 标准的 JESD51-8 和 JESD51-12 部分。

设计者可以通过热量建模或直接测量的方式确定ΘJB 和ΨJB 的值。对上述任意一种方式,参见下面的步骤:

将功耗控制在适合ΘJB 或ΨJB 的范围内。

测定管芯温度,通常用一个芯片上的二极管来实现。

测定在距封装边缘小于 1mm 处的 PCB 温度。

测定功耗。

ΨJT 是衡量结温和封装顶部温度之间的温度变化的特征参数。当封装顶部温度和功耗已知时,ΨJT 有助于估算结温。

热计算

结温

TJ = TA + (ΘJA × P)

其中:

TJ = 结温

TA = 周围环境温度

P = 功耗,单位为 W

TJ 也可用ΨJB 或ΨJT 的值来计算,如:

TJ = TB + (ΨJB × P)

其中:

TB = 距离封装小于 1mm 处的电路板温度

TJ = TT + (ΨJT × P)

其中:

TT = 在封装顶部的中心处测得的温度。

注意:产品数据资料给出了每个器件所允许的最大结温。

最大允许功耗

Pmax = (TJ-max - TA) / ΘJA

Maxim 产品中列出的最大允许功率是在环境温度为+70°C 和最大允许结温为+150°C 的条件下给出的。

降额系数

该系数描述了在环境温度高于+70°C 时,每升高 1°C 所应降低的功耗值,单位为 mW/°C。

降额系数 = P / (TJ - TA)

其中:

TA 的典型值为+70°C (商用)。

TJ 是最大允许结温,典型值为+150°C。

为了得到在环境温度超过+70°C 时(例如,对于扩展温度范围的+85°C)的最大允许功率,可通过下面公式进行计算:

Pmax85C = Pmax70C - (降额系数 × (85 - 70))

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