关于英飞凌推出的OpTIMOS™40V低电压功率MOSFET

随着全球多样化的发展，我们的生活也在不断变化着，包括我们接触的各种各样的电子产品，那么你一定不知道这些产品的一些组成，比如OpTIMOS™40V低电压功率MOSFET。

当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)通过专注于强化元器件产品达到系统创新，来应对这一挑战。继2月份推出25V装置后，英飞凌又推出了OpTIMOS™40V低电压功率MOSFET，采用源极底置(SD，Source-Down)PQFN封装，尺寸为3.3mmx3.3mm。这款40VSDMOSFET适用于服务器的SMPS、电信和OR-ing，还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。

功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)，FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)，即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。

OpTIMOSSD40V低电压功率MOSFET提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。采用源极底置(SD)PQFN封装的装置尺寸为3.3mmx3.3mm，可使RDS(on)大大降低25%，接面与外壳间的热阻RDS(on)亦获得大幅改善。

截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。

SD封装的内部采用上下倒置的芯片。如此一来，让源极电位(而非汲极电位)能通过导热片连接至PCB。与现有技术相比，此版本最终可使RDS(on)大大降低25%。相较于传统的PQFN封装，接面与外壳间的热阻(RthJC)亦获得大幅改善。SDOpTIMOS可承受高达194A的高连续电流。此外，经过优化的配置可能性和更有效的PCB利用，可实现更高的设计灵活性和出色的性能。

导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面.

在研究设计过程中，一定会有这样或着那样的问题，这就需要我们的科研工作者在设计过程中不断总结经验，这样才能促进产品的不断革新。