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[导读]随着全球多样化的发展,我们的生活也在不断变化着,包括我们接触的各种各样的电子产品,那么你一定不知道这些产品的一些组成,比如OpTIMOS™40V低电压功率MOSFET。

随着全球多样化的发展,我们的生活也在不断变化着,包括我们接触的各种各样的电子产品,那么你一定不知道这些产品的一些组成,比如OpTIMOS™40V低电压功率MOSFET。

当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸,以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)通过专注于强化元器件产品达到系统创新,来应对这一挑战。继2月份推出25V装置后,英飞凌又推出了OpTIMOS™40V低电压功率MOSFET,采用源极底置(SD,Source-Down)PQFN封装,尺寸为3.3mmx3.3mm。这款40VSDMOSFET适用于服务器的SMPS、电信和OR-ing,还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。

功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。

OpTIMOSSD40V低电压功率MOSFET提供两种版本:标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。采用源极底置(SD)PQFN封装的装置尺寸为3.3mmx3.3mm,可使RDS(on)大大降低25%,接面与外壳间的热阻RDS(on)亦获得大幅改善。

截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。

SD封装的内部采用上下倒置的芯片。如此一来,让源极电位(而非汲极电位)能通过导热片连接至PCB。与现有技术相比,此版本最终可使RDS(on)大大降低25%。相较于传统的PQFN封装,接面与外壳间的热阻(RthJC)亦获得大幅改善。SDOpTIMOS可承受高达194A的高连续电流。此外,经过优化的配置可能性和更有效的PCB利用,可实现更高的设计灵活性和出色的性能。

导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面.

在研究设计过程中,一定会有这样或着那样的问题,这就需要我们的科研工作者在设计过程中不断总结经验,这样才能促进产品的不断革新。

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