快来了解Microchip的SiC汽车功率器件，你知道吗？

人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力，各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力，其实很多人并不会去了解电子产品的组成，比如碳化硅肖特基二极管。

Microchip新推出的器件通过了AEC-Q101认证，对于需要在提高系统效率的同时保持高质量的电动汽车电源设计人员来说，可以最大限度地提高系统的可靠性和耐用性，实现稳定和持久的应用寿命。新器件卓越的雪崩整流性能使设计人员可以减少对外部保护电路的需求，降低系统成本和复杂性。

碳化硅是最早发现的半导体材料之一，然而，由于生长高质量的碳化硅晶体比较困难，使碳化硅器件的发展落后于其他同族材料。近几年来，碳化硅器件发展有显著进步，而且证实了碳化硅由于优越的物理和电学特性，与硅材料和器件相比更适合应用于大功率电路。

Microchip分立产品业务部副总裁LeonGross表示：“作为汽车行业的长期供应商，Microchip持续拓展车用电源解决方案，引领汽车电气化领域的电源系统转型。我们一直专注于提供汽车解决方案，帮助客户轻松过渡到碳化硅(SiC)，同时将质量、供应和支持挑战的风险降至最低。”

碳化硅具有比硅更宽的禁带宽度(3C-SIC：2.3eV，6H-SIC：2.9eV，4H-SIC：3.2eV)，临界击穿电场比硅高8～10倍。因此，碳化硅高压器件可以通过高掺杂的薄漂移层实现，从而使器件的导通电阻降低几个数量级。

Microchip作为汽车行业供应商的历史已经超过25年。公司拥有碳化硅(SiC)技术以及多个通过IATF16949:2016认证的制造工厂，可通过灵活的制造方案提供高质量器件，帮助最大限度地降低供应链风险。

SIC材料以其优越的电学特性使其在高功率、高温应用中具有独特的优势。对于式(1)，与硅材料相比，4H-SIC的临界击穿电场大约比硅高10倍，对于给定的击穿电压，由式(1)得到的比导通电阻将减小约3个数量级。

经过Microchip内部以及第三方测试，关键可靠性指标已经证明，与其他厂商生产的SiC器件相比，Microchip的器件性能更加卓越。与其他在极端条件下出现性能下降的碳化硅(SiC)器件不同，Microchip器件性能保持稳定，有助于延长应用寿命。Microchip碳化硅(SiC)解决方案的可靠性和耐用性在业界处于领先水平。其耐用性测试表明，Microchip的碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)在非箝位电感开关(UIS)中的能量承受能力提升20%，在高温下电流泄漏水平最低，从而可以延长系统寿命，实现更可靠的运行。

碳化硅肖特基二极管不仅应用于功率电路，还用于其他领域，如气敏传感器、微波和紫外探测器等。

Microchip的SiC汽车功率器件进一步拓展了其丰富的控制器、模拟和连接解决方案产品组合，为设计人员提供电动汽车和充电站的整体系统解决方案。Microchip还利用最新一代碳化硅(SiC)裸片，提供700、1200和1700V碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)功率模块的广泛产品组合。此外，Microchip推出的dsPIC®数字信号控制器可提供高性能、低功耗和灵活的外设。Microchip的AgileSwitch®系列数字可编程门驱动器进一步加快了从设计阶段到生产的进程。这些解决方案还可应用于可再生能源、电网、工业、交通、医疗、数据中心、航空航天和国防系统。

本文只能带领大家对碳化硅肖特基二极管有了初步的了解，对大家入门会有一定的帮助，同时需要不断总结，这样才能提高专业技能，也欢迎大家来讨论文章的一些知识点。