关于新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET-“TW070J120B”解析

在科学技术高度发达的今天，各种各样的高科技出现在我们的生活中，为我们的生活带来便利，那么你知道这些高科技可能会含有的碳化硅(SiC)MOSFET吗?

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源)，并于今日开始出货。

SiC‐MOSFET 与IGBT 不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。

该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料，与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。

而Si‐MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上，与Si‐MOSFET 不同，SiC‐MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。

新产品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计生产[1]，实现了输入电容低、栅输入电荷低、漏源导通电阻低等特性。与东芝推出的1200V硅绝缘栅双极晶体管(IGBT)“GT40QR21”相比，“TW070J120B”关断开关损耗降低80%左右，开关时间(下降时间)缩短大约70%，并且能够在不超过20A[2]的漏极电流下提供低导通电压。

SiC‐MOSFET 的漂移层阻抗比Si‐MOSFET 低，但是另一方面，按照现在的技术水平，SiC‐MOSFET的MOS 沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si 器件要高。

它的栅阈值电压被设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内，有助于减少故障风险(意外开启或关闭)。此外，内置的具有低正向电压的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)也有助于降低功率损耗。

SiC‐MOSFET 的阈值电压在数mA 的情况下定义的话，与Si‐MOSFET 相当，室温下大约3V(常闭)。

在大容量AC-DC转换器、光伏逆变器、大容量双向DC-DC转换器等工业应用中，这种新型MOSFET不仅将通过降低功率损耗来达到提高效率的目的，而且也将为缩小设备尺寸做出贡献。

以上就是碳化硅(SiC)MOSFET的一些值得大家学习的详细资料解析，希望在大家刚接触的过程中，能够给大家一定的帮助，如果有问题，也可以和小编一起探讨。