提供4引脚封装（TO-247-4L）型款的碳化硅MOSFET器件

在生活中，你可能接触过各种各样的电子产品，那么你可能并不知道它的一些组成部分，比如它可能含有的**，那么接下来让小编带领大家一起学习碳化硅MOSFET器件。

罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款，与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比，可最大限度地提高开关性能，并将开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS系统、太阳能逆变器和新能源汽车充电站中的节能使用。

当小于40A 时，CoolSiCTM MOSFET 显示出近乎电阻性的特性，而IGBT 则在输出特性上有一个拐点，一般在1V~2V, 拐点之后电流随电压线性增长。

通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。这有助于显着降低功耗，对于必须提供不间断电源的高性能应用尤其具有吸引力。特别是随着先进AI和IoT的发展，对于云服务的需求不断增长，数据中心面临着在降低功耗的同时还要提高容量和性能的挑战。

当负载电流为15A 时，在常温下，CoolSiCTM 的正向压降只有IGBT 的一半，在175℃结温下，CoolSiCTM MOSFET 的正向压降约是IGBT 的80%。在实际器件设计中，CoolSiCTM MOSFET比IGBT 具有更低的导通损耗。

配套评测板(P02SCT3040KR-EVK-001)带有针对驱动SiC器件而优化的栅极驱动器IC (BM6101FV-C)。多个电源IC和分立组件有利于应用评测和开发。由于兼容两种封装类型(TO-247-4L和TO-247N)，可在相同的条件下进行评测。这个评测板可用于升压电路、2级逆变器和同步整流降压电路中的双脉冲测试和组件评测。

相信通过阅读上面的内容，大家对碳化硅MOSFET器件有了初步的了解，同时也希望大家在学习过程中，做好总结，这样才能不断提升自己的设计水平。