STM32F1和GD32F1有什么区别
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编排 | strongerHuang
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然后，有很多公司开始了寻找其他厂家MCU代替STM32的方案，在国内最有效替代STM32的非GD32莫属了。
想要最有效替代，就需要了解他们之间的差异，下面简单描述一下STM32F1 和 GD32F1系列芯片的一些差异。
GD32属于北京兆易创新科技股份有限公司（简称兆易创新）开发的一款（系列）MCU。
兆易创新成立于2005，在2013年正式推出了第一款Cortex-M内核的MUC（GD32F1）。
据说开发的人员是来自ST公司的，GD32也是以STM32为模板做出来的。所以GD32和STM32有很多地方都是一样的，有些型号MCU可以做到无缝替换。
不过GD32毕竟是不同的产品，不可能所有东西都沿用STM32，有些自主开发的东西还是有区别的。相同的地方我们就不说了，下面我给大家讲一下STM32F1 和 GD32F1系列芯片不同的地方。
内核区别 GD32采用二代的M3内核，STM32主要采用一代M3内核，下图是ARM公司的M3内核勘误表，GD使用的内核只有752419这一个BUG。
使用HSE(高速外部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大72M。
主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，各种开方运算，电机控制等操作，GD32是一个不错的选择。
外部供电：GD32外部供电范围是2.6 ~ 3.6V，STM32外部供电范围是2 ~ 3.6V,GD的供电范围比STM32相对要窄一点。
内核电压：GD32内核电压是1.2V，STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低，所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。
GD32的Flash是自主研发的，和STM32的不一样。
GD Flash执行速度：GD32 Flash中程序执行为0等待周期。
STM32 Flash执行速度：ST系统频率不访问flash等待时间关系：0等待周期，当0
Flash擦除时间：GD擦除的时间要久一点，官方给出的数据是这样的：GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型号， Page Erase 典型值100ms， 实际测量60ms 左右。对应的ST 产品Page Erase 典型值 20~40ms。
从下面的表可以看出GD的产品在相同主频情况下，GD的运行功耗比STM32小，但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。
GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle，而STM32没有，如下图：
GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异，相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72M的主频下，ADC的采样时钟为14M的输入阻抗和采样周期的关系：
FSMC区别
STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
GD103系列和ST103系列的ram和flash对比如下图：
GD的105/107的选择比ST的多很多，具体见下表：
还有很多差异，可能有些工程师在实际应用过程中都发现了，欢迎大家留言补充。由于篇幅有限，本文就不再过多介绍了。
来源地址：
https://blog.csdn.net/shenzhen_zixian/article/details/103250238
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