什么是混合集成电路?混合集成电路特点+种类+基本工艺

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混合集成电路是由半导体集成工艺与薄(厚)膜工艺结合而制成的集成电路。混合集成电路是通过在基片上形成厚膜或薄膜元件及其互连，然后在同一基片上混合分立的半导体芯片、单片集成电路或微元件，然后进行外部封装而制成的。与分立元件电路相比，混合集成电路具有组装密度高、可靠性高和电气性能好的特点。与单片集成电路相比，混合集成电路设计灵活、工艺方便、易于多品种小批量生产，并且元件参数范围广、精度高、稳定性好，可以承受更高的电压和更高的功率。混合集成电路主要用于模拟集成电路、微波集成电路和光电集成电路。它们还用于具有较高电压和较大电流的特殊电路中。混合集成电路在微波领域的应用尤为突出。

1.特点

混合集成电路将电路中所有组件的功能部件集中在基片上，这基本上可以消除电子组件中的辅助部件以及组件之间的装配间隙和焊点，从而提高了电子设备的装配密度和可靠性。由于这种结构特征，混合集成电路可以用作具有分立组件网络难以实现的电性能的分布式参数网络。 混合集成电路的另一个特征是改变导体、半导体和电介质的三层膜的顺序、厚度、面积、形状和特性，以及它们的引线位置，以获得具有不同性能的无源网络。

2.种类

存在两种用于制造混合集成电路的成膜技术：网印烧结和真空成膜。用前一种技术制得的膜称为厚膜，其厚度通常在15微米以上，而用后一种技术制得的膜称为薄膜，其厚度在几百埃至几千埃之间。如果混合集成电路的无源网络是厚膜网络，则称为厚膜混合集成电路。如果是薄膜网络，则称为薄膜混合集成电路。为了满足微波电路的小型化和集成化的要求，存在微波混合集成电路。根据组成参数的集中和分布，该电路分为集中参数和分布参数微波混合集成电路。集总参数电路的结构与常规厚膜混合集成电路的结构相同，不同之处在于元件尺寸精度更高。分布式参数电路不同。它的无源网络不是由视觉上可区分的电子组件组成，而是完全由微带线组成。微带线的尺寸精度较高，因此薄膜技术主要用于制造分布式参数微波混合集成电路。

3.基本工艺

为了促进电子设备中的自动化生产和紧密式组装，混合集成电路的制造使用标准化的绝缘基片。最常用的是矩形玻璃和陶瓷基片。可以在单个基板上制造一个或几个功能电路。制造过程是首先在基片上制造膜式无源组件和互连，以形成无源网络，然后安装半导体器件或半导体集成电路芯片。膜无源网络通过光刻和成膜方法制造。根据在基片上的特定处理顺序，制造具有各种形状和宽度的导体、半导体和介质膜，这些层彼此结合以形成各种电子组件和互连。在将整个电路制成基片之后，将引线焊接，并且在必要时在电路上涂覆保护层，最后用外壳密封以成为混合集成电路。

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