三安集成：拆解电动智能汽车“缺芯”方程式

上海2021年4月15日 /美通社/ -- 在4月14日开幕的慕尼黑上海电子展上，三安集成将目前的研发进展和应用方案与到场的1000余家电力电子领域领先企业交流，开展数场技术干货分享，共同推动行业的蓬勃发展。三安集成将在研发、制造方面持续投入，与行业上下游通力合作，呼吁友商共同发力，推动国内电动智能汽车产业链迭代升级，以满足全球电动智能汽车行业的芯片需求。

电动智能汽车市场火热，“缺芯”正在成为制约发展的一大瓶颈。

开春以来，手机市场巨头和无人机市场独角兽先后入局电动智能汽车领域，给原本就火热的电动智能汽车市场添上一把干柴。电动智能汽车相较于传统汽车，需要更多的传感器和功率器件，以求实现外界感测、人机互动和电源转换系统效率的提升。而目前的芯片市场，“缺芯”的窘况和“涨价”的无奈，已经迅速扩展到IGBT功率模块、MCU、逻辑处理芯片、DSP和MEMS传感器芯片，随后蔓延到各类二三极管。随着全球电动电动智能汽车市场的快速发展，预计在2030年，仅中国这个最大单一市场的保有量将超过8000万辆，芯片端的供应失衡或将成为制约电动智能汽车市场发展的一大瓶颈。

事实上，整车厂商、零部件厂商正积极寻求转变，比亚迪、特斯拉、采埃孚等等企业押注以碳化硅、氮化镓为代表的下一代宽禁带半导体，抢先占位材料和器件资源。宽禁带半导体器件以其耐高温、高压的材料特性，可以提供更高功率密度和更高的能源转换效率，在电动智能汽车关键的超800伏高压快充领域，可以具备IGBT所达不到的高压工作条件，缩短充电时间;同时具备更大的开关频率、更好的耐热性能和更高的击穿电场，从而减少热管理部件并缩小模块体积，降低电力转换损耗、提高系统效率，进而在相同电池条件下提升续航里程。宽禁带半导体在电动智能汽车领域的应用已成必然趋势。

湖南三安半导体高新产业园，摄于2021年1月。

电动智能汽车车型或车型平台的开发和验证周期一般需要4年左右，今年入局的新玩家最快将在2025年左右发布原型车平台。三安集成着眼于2025年的电动智能汽车市场，提前布局碳化硅产能，于湖南长沙投资建设千亩制造基地，一期工程已于2021年1月全面封顶，机台将于5月陆续进厂调试，下半年启动投产，预计年产量达40万片六寸碳化硅晶圆。湖南基地垂直整合了自衬底材料-外延生长-晶圆制造-到封装测试等环节，提高成本效益，缩短产品迭代周期，加速宽禁带半导体在电动智能汽车领域的普及。

三安集成与慕展到场展商深入交流分享。

三安集成拥有丰富的化合物半导体制造经验，具备大规模制造能力，可以为客户提供多元灵活的合作方式。作为JEDEC JC-70的成员，三安集成参与了碳化硅和氮化镓半导体功率器件国际标准的制定。目前，三安集成拥有完备的碳化硅650V/1200V SBD产品系列，已通过AECQ车规级验证，下一步将继续推进车规级MOSFET验证，打造车规级碳化硅功率芯片研发、制造和服务平台，为电动智能汽车的充电系统提供高品质的功率芯片，满足快速崛起的电动智能汽车电驱市场。同时，针对高端服务器/PC电源、UPS电源、光伏逆变器等电源变换应用领域，三安集成也可以提供高效可靠的产品以及高品质的交付服务。