三星意在美国建5nm EUV芯片厂，预计2024量产

在新一代半导体工艺中，美国本土的厂商已经落后于三星、台积电，Intel最先进的工艺现在还是10nm。日前有消息称三星准备在美国建设5nm EUV芯片厂。

据韩媒援引业内人士消息，三星电子已决定在美国得克萨斯州奥斯丁设立EUV半导体工厂，以满足日益增长的小型芯片需求和美国重振半导体计划。

该工厂将采用5nm制程，计划于今年Q3开工，2024年投产，预计耗资180亿美元。

这次在美国建厂也是三星电子首次在韩国之外设立EUV产线。

业内估计三星将在5月21日左右就此发布正式公告。

在此之前，台积电去年宣布，将在美国亚利桑那州建设一座芯片工厂，建成之后将采用5nm工艺为相关的客户代工芯片，计划月产能20000片晶圆，这一工厂计划2021年开始建设，目标是2024年投产，台积电计划2021年到2029年在这一工厂投资120亿美元。

最新消息称，台积电管理层目前正在讨论，他们在美国的下一座芯片工厂，是否采用更先进的3nm制程工艺，为相关的客户代工芯片。

三星此举一方面是有来自美国政府的压力，另一方面也是为了保持对代工龙头台积电的追赶态势。报道认为，如果三星眼看着台积电不断扩大投资而无动于衷，那么二者之间的差距将越来越大。

自美国总统***抛出“芯片也是基建”的论调后，美国政府就开始对台积电、三星这样的外国芯片代工巨头软硬兼施，一边是白宫两次开会“呼吁”各家支持美国的芯片制造业，另一边是总统接连抛出上百亿的补贴“大饼”，意图吸引各家前来建厂。

最近一周，台积电、三星接连传出计划在美建设代工厂的消息，而且用的还是像3纳米、5纳米这样的先进工艺，如果计划最终落地，那将是这两大代工巨头首次在非本土地区建设先进工艺生产线。有知情人士称台积电正在考虑在美国亚利桑那州建设3纳米工艺的高端芯片代工厂，如果成真，这将是台积电首次在本土以外建设高端芯片生产线。

台积电曾在去年宣布投资100-120亿美元，在亚利桑那州的州府菲尼克斯建设一家代工厂，但报道称那只是台积电计划在该地区建设的第一家工厂，用的是5纳米工艺生产线，以后还会有其他台积电的代工厂落地，最多达5座。报道指出，台积电在该州建设更多工厂的细节此前从未被报道过。

不仅如此，公司管理层正在讨论是否给下一个工厂配备更先进的生产线，比如3纳米芯片工艺，这样的一座厂预计将耗资230-250亿美元。鉴于菲尼克斯的园区要在未来10-15年才能建成，管理层还草拟了建设2纳米乃至更先进工艺生产线的计划。

据悉，美国此前曾成立了一个美国半导体联盟，而联盟中的企业没有一家是来自中国大陆的，美国此前抛出了百亿补贴的半导体激励计划“大饼”，而这64家美欧日韩以及中国台湾企业一起聚集在该联盟多半是看中了美国的百亿补贴“大饼”。美国在这项半导体激励计划中虽然要奉献出自己的荷包，但这无疑是为了更好地掌控我国的半导体行业，让我国半导体行业对美国芯片产生严重依赖，而台积电和三星又传出将在美国建立代工厂的消息，看来美国早有准备要打压我国的半导体行业。

芯片生产并非易事，更不要说高端芯片的生产了，我国目前为止只实现了低端芯片的量产，而作为芯片加工界的巨头台积电是5nm制程芯片的引领者，当下全球最先进的芯片制程就是5nm芯片工艺，在去年5nm工艺的芯片才开始实现量产，除了是5nm制程工艺芯片的引领者，3nm工艺的芯片业的技术掌控也属台积电最为领先，而台积电原本的3nm芯片工厂也将在下半年投入建厂，而最近又传出了台积电将在美国建立3nm甚至是2nm工艺芯片的代工厂，工厂的投入费用更是高达数百亿美元。