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[导读]第二代EUV光刻机原本预计最快2023年问世,但最新传闻称NXE:5000系列跳票,而且一下子就跳票三年,要到2025-2026年才有可能问世了。

要知道,ASML是全球唯一一家量产EUV光刻机的。台积电、三星、Intel的7nm、5nm,以及未来的3nm、2nm都要依赖EUV光刻机,单台售价超过1亿美元,成本极高。

目前,ASML的EUV光刻机使用的还是第一代,EUV光源波长在13.5nm左右,物镜的NA数值孔径是0.33,发展了一系列型号。

其中,最早量产出厂的是NXE:3400B,其产能有限,一小时生产晶圆是125PWH;目前的出货主力是NXE:3400C,产能提升到了135WPH;今年年底还有NXE:3600D系列出货,产能再进一步提升到160WPH,不过价格也会上涨到1.45亿美元。

现在第一代的EUV光刻机NA指标太低,第二代EUV光刻机会是NXE:5000系列,其物镜的NA将提升到0.55,进一步提高光刻精度,半导体工艺突破1nm工艺就要靠下一代光刻机了。

然而,NA 0.55的二代EUV光刻机没那么容易,原本预计最快2023年问世,但最新传闻称NXE:5000系列跳票,而且一下子就跳票三年,要到2025-2026年才有可能问世了。

(资料图)

不仅时间延期,二代EUV光刻机的价格也会大涨,预计将会达到3亿美元,是现有EUV光刻机的2-3倍。这意味着,未来的芯片工艺成本极其昂贵,哪怕真能做到1nm工艺,那高昂的成本也会让大多数公司退而却步。

如果照此发展下去,估计1nm工艺的大客户就剩下苹果自己了。

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