华为哈勃投资天域半导体：发力第三代半导体材料碳化硅

除了投资“芯片之母”EDA企业，企查查工商资料显示，华为旗下哈勃科技日前入股东莞市天域半导体科技有限公司，后者注册资本也从9027万元增加到9770万元，增幅8%。

据悉，东莞市天域半导体成立于2009年，位于松山湖高新技术产业园区，是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。

2010年公司与中科院半导体所合作成立“碳化硅技术研究院”，目前已引进三台世界一流的SiC-CVD及配套检测设备，生产技术达到国际先进水平。天域是中国第一家碳化硅半导体材料供应链的企业获得汽车质量认证(IATF 16949) 。目前，天域在中国拥有最多的碳化硅外延炉-CVD。月产能 5000件。 凭着最先进的外延能力和最先进的测试和表征设备，我们为全球客户提供 n-型 和 p-型 掺杂外延材料、制作肖特基二极管、JFETs、BJTs、MOSFETs，GTOs 和 IGBTs等。

至于深圳哈勃科技，华为技术有限公司则出自69%、华为终端出资30%、哈勃科技出资1%，今年4月刚刚成立。

所谓第三代半导体，主要是二十一世纪以来以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌(ZnO)、金刚石四种为代表的半导体材料，即高温半导体材料。第一代半导体材料主要是硅（Si）、锗元素（Ge），第二代主要是化合物半导体材料。