为什么DC-DC上管用NMOS？
时间：2021-07-25 13:43:02
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[导读]在电路中，NMOS经常用作下管，S极接地，用G极来控制管子的导通截止，很方便。
大家好，我是记得诚。
在电路中，NMOS经常用作下管，S极接地，用G极来控制管子的导通截止，很方便。
NMOS用作上管时，因为S极电平不确定，即G极电平也不好确定，很不方便。
PMOS经常用作上管，S极接固定的VCC，用G极来控制管子的导通截止。
用作下管时，因为S极电源不确定，无法确定G极电压来控制管子的导通截止。
今天的问题并不是这个，而是说DC-DC上管为什么用NMOS的多，而不是PMOS。
上管用NMOS，还要用到自举电容，麻烦还增加成本。
关于自举电容，可以看这篇文章：DC-DC BUCK自举电路详解
最主要原因是PMOS的Rds(on)比较大，意味着DC-DC的损耗大，效率低，综合下来，DC-DC上管还是用NMOS的多。
在rohm的产品目录中，可看出内阻差别，NMOS都是几个毫欧，PMOS一般是几十毫欧。
rohm NMOS Rdson参数rohm PMOS Rdson参数在实际应用中，NMOS用的比PMOS多，从rohm MOS型号种类也可以看出来。
对于PMOS，ID为空穴电流，NMOS的ID为电子电流，空穴的移动比电子难，这也是PMOS导通内阻大的原因。
形成空穴沟道比电子沟道更难，所以一般PMOS的导通电压也会比NMOS的导通电压高一些。
在电路中，NMOS经常用作下管，S极接地，用G极来控制管子的导通截止，很方便。
NMOS用作上管时，因为S极电平不确定，即G极电平也不好确定，很不方便。
PMOS经常用作上管，S极接固定的VCC，用G极来控制管子的导通截止。
用作下管时，因为S极电源不确定，无法确定G极电压来控制管子的导通截止。
今天的问题并不是这个，而是说DC-DC上管为什么用NMOS的多，而不是PMOS。
上管用NMOS，还要用到自举电容，麻烦还增加成本。
关于自举电容，可以看这篇文章：DC-DC BUCK自举电路详解
最主要原因是PMOS的Rds(on)比较大，意味着DC-DC的损耗大，效率低，综合下来，DC-DC上管还是用NMOS的多。
在rohm的产品目录中，可看出内阻差别，NMOS都是几个毫欧，PMOS一般是几十毫欧。
rohm NMOS Rdson参数rohm PMOS Rdson参数在实际应用中，NMOS用的比PMOS多，从rohm MOS型号种类也可以看出来。
对于PMOS，ID为空穴电流，NMOS的ID为电子电流，空穴的移动比电子难，这也是PMOS导通内阻大的原因。
形成空穴沟道比电子沟道更难，所以一般PMOS的导通电压也会比NMOS的导通电压高一些。
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