东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET
时间：2021-08-19 15:10:54
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[导读]点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用（包括大容量电源），将于今日开始出货。该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的...
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用（包括大容量电源），将于今日开始出货。
该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。
新产品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计生产[1]，实现了低输入电容、低栅输入电荷、低漏源导通电阻等特性。与东芝推出的1200V硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）“GT40QR21”相比，“TW070J120B”关断开关损耗降低80%左右，开关时间（下降时间）缩短大约70%，并且能够在不超过20A[2]的漏极电流下提供低导通电压。
它的栅阈值电压被设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内，有助于减少故障风险（意外开启或关闭）。此外，内置的具有低正向电压的碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）也有助于降低功率损耗。
在大容量AC-DC转换器、光伏逆变器、大容量双向DC-DC转换器等工业应用中，这种新型MOSFET不仅将通过降低功率损耗来达到提高效率的目的，而且也将为缩小设备尺寸做出贡献。
应用
- 大容量AC-DC转换器
- 光伏逆变器
- 大容量双向DC-DC转换器
特性
- 第2代芯片设计（内置碳化硅SBD）
- 高电压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅阈值电压：
- 增强类型易于操作
主要规格
（除非另有说明，@Ta=25℃）
注释：[1] 东芝于2020年7月30日发布的新闻：“可提高碳化硅（SiC）MOSFET可靠性的东芝新器件结构问世”https://toshiba.semicon-storage.com/cn/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html[2] 环境温度25℃
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社，融新公司活力与经验智慧于一身。自2017年7月成为独立公司以来，已跻身通用元器件公司前列，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
公司24,000名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化。东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，实现了超过7500亿日元（68亿美元）的年销售额。公司期望为世界各地的人们建设更加美好的未来。
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