TDK推出具有冗余功能和数字输出接口的新型杂散场补偿3D HAL®传感器

.基于霍尔效应的新型双芯片3D位置传感器HAR® 39xy系列(HAR 3900 和 HAR 3930)可实现有源杂散场补偿

.SSOP16封装中的完全冗余器件

.高度灵活的器件架构，支持各种数字接口(SPI、PWM输出和SENT，符合 SAE J2716)

2021年9月9日

TDK公司 扩展了Micronas 3D HAL®传感器产品组合，全新推出霍尔传感器HAR 3900和HAR 3930*。这些产品支持汽车和工业应用中的杂散场补偿位置检测，同时满足ISO 26262的兼容开发需求。可根据要求提供样品。将于2022年第二季度投产。

根据ISO 26262，传感器支持SEooC和ASIL B，可进行ASIL D的系统级开发。它们可进行3D磁场测量、2D杂散场稳健位置检测;HAR 3930具有PWM 和SENT(SAE J2716修订版4)输出、附加开关输出，HAR 3900通过高速SPI接口提供可用的测量数据。这两种传感器都是HAL 3900和HAL 3930的双芯片SMD封装版，适用于多种应用，包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、加速器和制动踏板位置检测。**

HAR 39xy传感器使用铁氧体双极磁铁进行高达360°的角度测量，同时还能使用双极条状磁铁进行高达35毫米的线性测量。杂散场稳健性位置检测有两种测量类型，且附加的3D测量会针对每个芯片产生两个独立的角度。HAR 3900通过SPI接口提供X、Y和Z方向磁场的温度补偿原始值，同时提供各种低功耗模式。可准确测量磁场的专利3D HAL像素单元技术是HAR 39xy传感器的核心。

HAR 39xy凭借灵活的架构实现了多种配置选择，有利于设计工程师为各种给定任务选择最佳操作模式。它拥有可进行快速信号处理的强大的DSP和可执行接口配置的嵌入式微控制器，同时监督功能安全相关任务的执行情况。

每个HAR 39xy传感器包含两个相互重叠的独立芯片，二者机械分离且电气绝缘。两个芯片测量几乎相同的磁场，从而确保同步输出信号。单一封装的冗余传感器解决方案的优点是减小PCB尺寸和减少焊点，从而降低系统成本并增强系统的稳定性。HAR 3900和HAR 3930采用小型SSOP16封装。

术语

3D HAL®像素单元：可直接测量X、Y、Z三个方向上的磁场。

杂散场补偿：现代霍尔效应传感器必须对混合动力或电动汽车(xHEV)中电动机或电源线产生的干扰场不敏感

masterHAL®：代表独特性能集合的注册商标，包括建立于高度灵活架构的用于多维磁场测量的杂散场补偿功能

主要应用**

转向角位置检测

换档器

制动行程位置传感器

传动系统中的位置检测

加速踏板位置检测

主要特点和优势***

符合ISO 11452-8要求的杂散场稳健性位置检测(线性和高达360°旋转)

180°旋转应用的梯度杂散场补偿

真3D磁场测量BX、BY和BZ

传输位置信息，最多两个已计算的角度、磁场幅度和/或芯片温度

在使用HAR 3900的情况下传输温度补偿的原始磁场值(BX、BY和BZ)和低功率模式。

SEooC符合ISO 26262的要求，可支持功能安全应用

宽供电电压范围：3.0 V至5.5 V (HAR 3900)、3.0 V至18 V (HAR 3930)

-40 °C至160 °C的宽温度范围适用于汽车应用

双芯片SSOP16 SMD封装

重要数据