[导读]“是说芯语”已陪伴您983天IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片...
“是说芯语”已陪伴您983天
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(而极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见。
那么全球IGBT主要厂家有哪些呢,下面一起看看:
附其深度报告:
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绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)是一种重要的功率半导体器件,广泛应用于电力电子领域。它不仅综合了双极型晶体管(Bipolar Junction Tran...
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L6983i适合需要隔离式 DC-DC 转换器应用,采用隔离降压拓扑结构,需要的外部组件比传统隔离式反激式转换器少,并且不需要光耦合器,从而节省了物料清单成本和 PCB面积。
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在上一集中观察到的双极晶体管的缺点是开关时间太长,尤其是在高功率时。这样,它们不能保证良好的饱和度,因此开关损耗是不可接受的。由于采用了“场效应”技术,使用称为 Power-mos 或场效应功率晶体管的开关器件,这个问题...
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N 沟道 IGBT 基本上是构建在 p 型衬底上的 N 沟道功率 MOSFET,的通用 IGBT 横截面所示。(PT IGBT 有一个额外的 n+ 层,将在后面说明。)因此,IGBT 的操作与功率 MOSFET 非常相似...
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IGBT基础知识
所谓PT(PunchThrough,穿通型),是指电场穿透了N-漂移区,电子与空穴的主要汇合点在N一区。NPT在实验室实现的时间(1982年)要早于PT(1985),但技术上的原因使得PT规模商用化的时间比NPT早,所以...
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