[导读]大家好,我是记得诚。最近逛论坛,看到一个帖子,如下:电路图如下,是个低功耗电池电压采集方案,多次通电后,Q1无情的冒烟了。VDD是低功耗外设电压,低功耗下VDD=0V,唤醒后VDD=3.3V。电路的工作原理是这样的,低功耗下VDD=0V,Q2和Q1关闭;唤醒后VDD=3.3V,Q...
大家好,我是记得诚。
最近逛论坛,看到一个帖子,如下:
电路图如下,是个低功耗电池电压采集方案,多次通电后,Q1无情的冒烟了。
VDD是低功耗外设电压,低功耗下VDD=0V,唤醒后VDD=3.3V。
电路的工作原理是这样的,低功耗下VDD=0V,Q2和Q1关闭;唤醒后VDD=3.3V,Q2和Q1导通,VBAT通过R1和R9分压,进行ADC检测。
Q1 PMOS用的型号为:AO3401,Q2 NMOS用的是:AO3400。
我们看一下网友是咋说的。
ANDY-张:逻辑是对的,检查元器件封装和元器件属性。
ifc315:VBAT端存在高压或者静电,Q1的G-S间被击穿了。
智能diy:感觉是Q2导通不完全,导致Q1也导通不完全,排除静电击穿,一般静电击穿不冒烟,感觉R8应该去除。
bendn:会不会AO3401的G极没有串接电阻,下管对AO3401的控制信号直连的G极,如果下管打开特别快的话,因为AO3401的G、S之间存在寄生电容,就会形成这样一个瞬时的大电流通路,是不是就可能引起G极的绝缘层损伤,多次冲击过后就可能引起绝缘层击穿彻底短路,进而导致MOS管冒烟。
而且因为米勒电容的存在,Q1在导通的过程中,还会出现这样一个电流通路,也就是Q1的D、S之间电流刚刚达到最大时,此时D、S之间电压还是6V没变,电流是从S极通过导电沟道流到D极,然后再经过G、D之间的寄生的这个米勒电容到达G极,最终通过Q2导通到地。
我又仔细分析了一下,感觉更可能是Q2控制着Q1,使得Q1导通过快,MOS管的导通电流变化过快,进而在MOS管的寄生电感上面产生很大的感抗,形成振荡电路,最后出现高压击穿MOS,改进的措施还是在Q1的G极上面串接一个小电阻,或者在Q1的G极和S极接上一个小电容,使得MOS开启缓慢一些减弱振荡。
因为你这个电路没有高负载的地方,所以应该不是发热引起的损坏,更像是产生的高压损坏,高压损坏在你这个电路这里只能是振荡引起。
然后你这个Q1打开慢一些无所谓,交叉损耗很小,不像是电源的开关控制,那种的电流很大,打开太慢的话,开关交叉损耗就会很大,会出现热损坏。825cow:这个不应该烧MOS的,后面负载都是10K级的。
ifc315:不知道都是怎么计算的,导通太快引起损坏都出来了;R7是10k,开关速度能快到哪里去哦。
小伙伴们,怎么看?这个电路有问题吗?欢迎留言区评论。
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