新能源为宽禁带半导体带来机遇

浙江大学电气工程学院院长盛况：

功率半导体技术的发展与全球能源的消耗紧密相关。在过去的几十年以及未来30年，我们面临的趋势是化石能源使用的逐渐减少，可再生能源应用的进一步增加。

可再生能源开发及节能减排都需要用到电力电子技术。不管是光伏、风电、新能源汽车，都需要对电能进行控制，而电能控制最核心的元件就是芯片，即供能芯片。供能芯片不需要精细线宽，它需要和应用紧密结合，在这方面，中国企业有优势，因为市场需求在我们自己手里，而且离我们最近。

功率半导体芯片目前发展到第3代，即以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体，它们具有导热率高、击穿电场高、介电常数低、禁带宽度高、饱和漂移速度高等一系列优势。以新能源汽车电机驱动器为例，采用宽禁带半导体芯片可以提高效率、节省冷却系统体积、提高功率密度，使电池效率提高10%，这是一个很大的比例。

碳化硅电力电子器件主要包括二极管及MOSFET。在碳化硅二极管器件产品方面，国内外20余家公司批量销售SiC肖特基二极管系列产品，产品技术发展到第五代，采用薄片、沟槽等先进技术，在不断提升性价比的同时，应用可靠性显著提升;在碳化硅MOSFET器件产品方面，1700V以下中低压产品性能可靠性满足应用要求，产品发展到第三代，采用新型栅氧、沟槽结构等技术，比导通电阻降低到第一代产品的1/3，阈值电压高温稳定性显著提升。

当前，国际上碳化硅器件排名前十位的公司占了市场98%的份额，这里面没有中国公司，这正是我们要努力的方向。