NX7013 是一款4A异步双节可调充电IC,它控制片外NMOS 导通,当检测外部电路检测电阻RCS 设置上限时,片外NMOS 截止,电感电流下降,电感中的能量转移到电池,当检测外部电路检测电阻RCS 设置下限时,片外NMOS 再次导通,周而复始。
NX7012是一款高集成度、高可靠性的双节锂电池升压充电管理 IC,它的充电电流可用外部电阻配置,升压开关充电转换器的工作频率为650KHz,支持最大 2.5A 输入充电,转换效率为 90%,可以PIN TO PIN替代5058,功能覆盖AH3380、IU5207、TP6511
纳祥科技NX7011采用先进的沟槽技术,提供了出色的RDS(ON)和较低的栅极电荷。该器件具有两个独立的 MOSFET且漏源导通电阻低,可最大限度地降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型产品的应用。 在性能上,NX7011可以PIN TO PIN 兼容替代 AP20G02BDF 。
随着增强现实(AR)技术的飞速发展,智能镜子交互系统逐渐成为美妆、时尚等领域的前沿应用。AR虚拟试妆与触控反馈技术的结合,不仅为用户提供了沉浸式的试妆体验,还极大地提升了购物的便捷性和趣味性。本文将深入解析这一系统的技术原理,并展示部分关键代码实现。
纳祥科技NX7010是一款30V 20A双N沟道MOSFET,它的工作原理是基于栅源电压的控制。当栅源电压大于导通电压时,两个MOS管都处于导通状态,电流从N1的源极流向N2的漏极,再从N2的源极回到N1的漏极;当栅极电压小于截止电压时,两个MOS管都处于截止状态,电路中的电流几乎为零。 在性能上,NX7010可以PIN TO PIN替代AP20H03DF
RISC-V指令集架构的开源特性正在重塑消费电子领域硬件创新模式。全志科技推出的D1芯片作为首款量产RISC-V消费电子SoC,为开发者提供了从边缘计算到智能家电的低成本解决方案。本文以全志D1为例,深入探讨其硬件特性、开发环境搭建及典型应用场景,并给出可验证的代码示例。
在物联网设备爆发式增长的今天,智能门锁作为家庭安防的核心入口,其续航能力直接影响用户体验。要实现18个月以上的超长待机,需从硬件选型、电源管理、软件算法三个维度进行系统性优化。本文将以某头部厂商的实际方案为例,深入解析其技术实现路径。
来自人造设备和系统,例如无线电发射台、移动通信基站、雷达系统等。这些设备通过辐射电磁能量或在电力线路上引入噪声,导致其他设备的正常运行受到影响。
脉冲宽度调制PWM是通过将有效的电信号分散成离散形式从而来降低电信号所传递的平均功率的一种方式。