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ACTT

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锐成芯微(Actt)成立于2011年,致力于集成电路知识产权(IP)产品设计、授权,并提供一站式服务。公司近10年来立足低功耗技术,逐步发展和构建完成以超低功耗模拟IP、高可靠性存储IP、高性能射频IP及高速接口IP为主的产品格局,获得国内外专利授权98件,先后与全球20多家晶圆厂建立了合作伙伴关系,累计开发IP 500多项,服务全球数百家集成电路设计企业,产品广泛应用于5G、物联网、智能家居、汽车电子、智慧电源、可穿戴、医疗电子、工业控制等领域。官网请访问:http://www.analogcircuit.cn/
  • 国产IP如何突出重围?

    IP是芯片产业的根技术,但除了半导体领域的业内人士,很少有人知道IP是什么、能做什么。如果把一颗芯片打开,就能从它的版图上看到很多个IP组成了整个电路。这些集成电路IP核在芯片设计中,物理上能够看得到摸得着,也能够完成一定功能。更重要的是,IP是可以重复利用的,不光可以通过授权方式给到A客户,也可以用到B客户产品中。

  • 存储IP的差异化路线

    2021年,美国,韩国、日本、欧盟等已经陆续提出“芯片自主”规划,均在计划加大投资,想要实现本国半导体或者本地区的独立自主能力。聚焦国内,芯片产业长期处于科技行业的短板,这使得包括华为在内的国内智能设备制造商始终受制于人。

  • 多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析

    基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能。经过104次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性。通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150 ℃条件下3个样品的数据保持时间,并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能。