电源
MicroFET功率开关（飞兆）
时间：2007-11-17 01:12:00
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[导读]飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z，适用于充电、异步DC/DC和负载开关等低功耗 (<30V) 应用。
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z，适用于充电、异步DC/DC和负载开关等低功耗 (<30V) 应用。这些功率开关可在低至1.5V的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75% 的RDS(ON)和降低66% 的热阻。FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飞兆半导体先进的PowerTrench® 技术，封装为2.0mm x 1.6mm SC-75，较3 x 3mm SSOT-6封装及SC-70封装体积分别减小65% 和20%。
这些2.0mm x 1.6mm MicroFET功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm x 3mm SSOT-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的PCB空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5V栅极驱动电压下运作的特性。
FDMJ1023P和FDFMJ2P023Z的主要特性包括：
- 节省空间，因为这些MicroFET开关较采用SC-70封装的功率开关体积减小20%
- 确保在低至1.5V栅极驱动电压下运作，能够满足便携式应用的电压要求
- 出色的电气性能和热性能
- RDS(ON)160mΩ @ VGS = -2.5V
- 热阻89 ۫۫C/W
飞兆半导体提供业界最为广泛并提升热性能的超紧凑低侧高器件，瞄准低功耗应用。这些易于实现及节省空间的高性能MOSFET适用于客户所有低电压开关和功率管理/电池充电设备中。
FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用无铅 (Pb-free) 端子，潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令 (RoHS) 的要求。
供货： 现提供样品
交货期： 收到订单后12周内
这些2.0mm x 1.6mm MicroFET功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm x 3mm SSOT-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的PCB空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5V栅极驱动电压下运作的特性。
FDMJ1023P和FDFMJ2P023Z的主要特性包括：
- 节省空间，因为这些MicroFET开关较采用SC-70封装的功率开关体积减小20%
- 确保在低至1.5V栅极驱动电压下运作，能够满足便携式应用的电压要求
- 出色的电气性能和热性能
- RDS(ON)160mΩ @ VGS = -2.5V
- 热阻89 ۫۫C/W
飞兆半导体提供业界最为广泛并提升热性能的超紧凑低侧高器件，瞄准低功耗应用。这些易于实现及节省空间的高性能MOSFET适用于客户所有低电压开关和功率管理/电池充电设备中。
FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用无铅 (Pb-free) 端子，潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令 (RoHS) 的要求。
供货： 现提供样品
交货期： 收到订单后12周内
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