当前位置：首页 > 电源 > 数字电源

高带宽实时示波器芯片组(安捷伦)

时间：2009-12-14 22:20:19

关键字：芯片组实时示波器高带宽安捷伦

手机看文章

扫描二维码
随时随地手机看文章

[导读]安捷伦科技公司宣布，成功推出采用磷化铟（InP）技术的前端芯片组，为下一代高带宽示波器带来了突破性的功能。新的芯片组的诞生，将使安捷伦能够在 2010 年上半年推出提供 16 GHz 以上的真正模拟带宽的示波器。对于高

安捷伦科技公司宣布，成功推出采用磷化铟（InP）技术的前端芯片组，为下一代高带宽示波器带来了突破性的功能。新的芯片组的诞生，将使安捷伦能够在 2010 年上半年推出提供 16 GHz 以上的真正模拟带宽的示波器。

对于高速串行数据链路，例如 USB、SATA 或 PCI Express®，工程师能够使用示波器进行抖动测量和其他参数测量，以确保其互通性符合工业标准。在未来几年中，随着数据速率超过 8.5 Gb/s，工程师将需要具有 16 GHz 以上的真正模拟带宽的示波器。另外，即将问世的 IEEE 803.2ba 40/100G 标准也将要求示波器能够对16 GHz 及以上频率的高质量实时信号进行分析。

其他厂商声称，他们可以使用带宽增强技术实现更高的带宽，这些技术包括数字信号处理（DSP）和频域交叉技术（有时称为数字带宽交叉或 DBI）。但是，伴随这些技术而产生的额外噪声和抖动会严重影响示波器的测量精度和频率响应。

目前市场上常用的芯片处理技术无法实现 16 GHz 以上的真正模拟带宽。其他厂商正在使用晶体管切换频率在 100 GHz 以内的芯片技术。这样的频率限制无法提供更高的真正模拟带宽。安捷伦在 InP 工艺方面的投资使公司拥有了完备的 InGaP HBT（异质结双极晶体管）IC 技术，使晶体管切换频率达到了 200 GHz。在其他功能保持不变的情况下，InP 不会降低安捷伦仪器相关的可靠性和工艺性。

与安捷伦较早的砷化镓 (GaAs) 工艺相比，InP 工艺技术还具有出众的材料属性。InP 技术具有更高的饱和电子速率和峰值电子速率、较高的导热性、较低的表面重组速率以及较高的故障电场。以上这些优势意味着真正的模拟带宽可以达到新的极限。

此外，较之当今其他可用的技术，InP 技术还具有以下测量优势：
ο 高频率时更为平坦的响应；
ο 通过低噪声、绝缘基片获得更高的测量精度；
ο 较低的功率损耗带来更高的可靠性。

安捷伦执行内部工厂设施，以便在 InP 工艺中获得最终的精度控制。安捷伦科技领导机构（Leadership Organization）副总裁 Bob Witte 说：“已经证明，我们在微波半导体技术中的专业知识是对这种突破性磷化铟工艺进行调整，以提供针对实时示波器的领先技术规范的关键。”

在 J-BERT N4903B 高性能串行 BERT（提供完整的抖动容限测试）和 N4916B 去加重信号转换器中，客户已经看到了安捷伦 InP 工艺的优势。InP 技术为上升时间短于 20 ps 的脉冲提供了出色的保真度，并为未来的需求提供了空间。

安捷伦副总裁兼示波器事业部总经理 Jay Alexander 表示：“这是我们推出的首个具有这种新型高速芯片组的示波器系列，其最低带宽为 16 GHz。我们预计在 2010 年上半年推出这款高带宽示波器系列。这些新产品将补充我们现有的示波器阵容，确保我们能及时满足未来的客户需求。”