三星3D V-NAND固态盘加速企业闪存进化

三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升，节省电力消耗，并提高了急需的可靠性。

V-NAND固态盘有480GB和960GB两个容量点，960GB容量的固态盘提供最高性能，采用64个MLC 3D V-NAND闪存让连续随机读速度提高了20%。

新推出的V-NAND固态盘还提供了35K擦除周期，2.5英寸规格，为服务器制造商提供更高的设计灵活性和可扩展性。

三星电子半导体研发中心执行副总裁E.S. Jung在最近的闪存内存峰会(Flash Memory SUmmit)上表示：“三星的3D V-NAND克服了将制程工艺缩小到10纳米以下的难以逾越的障碍，为全球客户提供最高密度的可靠性，性能提高20%，能耗降低40%。”

“我们将继续为服务器、移动设备以及PC市场推出各种不同的绿色内存产品以及解决方案，帮助减少能源浪费，在企业级和消费级领域创造更大的共同价值。”

据三星称，专有的3D V-NAND技术比20纳米级NAND闪存的制造生产力提高了两倍以上，通过利用3D Charge Trap Flash单元结构以及垂直互连技术，连接24层组成3D单元阵列。

3D V-NAND固态盘将从本月开始生产。