当前位置:首页 > 嵌入式 > 嵌入式教程
[导读]我们都知道固态硬盘采用闪存颗粒NAND Flash作为存储介质,所以它是固态硬盘中最重要的构成部分,其好坏也就决定着固态硬盘质量的好坏,而我们目前常见的NAND闪存主要有四种类型:Single Level Cell(SLC),Multi Level Cell(MLC)和Triple Level Cell(TLC),还有一种尚未大规模普及的QLC。

我们都知道固态硬盘采用闪存颗粒NAND Flash作为存储介质,所以它是固态硬盘中最重要的构成部分,其好坏也就决定着固态硬盘质量的好坏,而我们目前常见的NAND闪存主要有四种类型:Single Level Cell(SLC),Multi Level Cell(MLC)和Triple Level Cell(TLC),还有一种尚未大规模普及的QLC。

现在我们来认识下SLC、MLC、TLC、QLC

不难理解,MLC Flash是可以在与SLC相同的区域中存储更多的数据,同上,TLC则是在相同的区域内能比MLC存储更多的数据,而QLC则是比TLC能存储更多的数据。

在SLC闪存中,每个存储单元仅存储一位信息,这使得读取单元格更快捷,因为磨损的影响小这也增加了单元的耐久性,进而增加了寿命,但其单元成本较高;MLC闪存每个存储器单元存储两位信息,读取速度和寿命都低于SLC,但价格也便宜2到4倍;MLC闪存的低可靠性和耐用性使它们不适合企业应用,创建了一种优化级别的MLC闪存,具有更高的可靠性和耐用性,称为eMLC;TLC Flash每个存储器单元存储3位信息,优势在于成本与SLC或MLC闪存相比要低得多,较适合于消费类应用,而到QLC Flash则是每个存储器单元能够存储4位信息以存储更多的信息,寿命也会相应低于TLC。

3D NAND助力QLC普及

说到这里就不得不提3D NAND,它的原理就是通过在同一晶片上垂直堆叠多层存储器单元,所以能够实现更大的存储密度。

第一批3D Flash产品有24层。随着该技术的进步,已经制造出32,48,64甚至96层3D闪存。3D闪存的优势在于同一区域中的存储单元数量明显更多。这也使制造商能够使用更大的制程工艺节点来制造更可靠的闪存。

一般来说,厂家为了更大的存储容量会使用更先进的制程工艺提升单位面积的存储容量,但由于闪存独特的电子特性,制程工艺越先进,寿命也就会越短,所以TLC在发展过程中会遇到寿命问题,但由于3D NAND是利用了垂直空间,提升容量。所以厂商没有必要使用更先进的制程工艺,转而使用更为老旧的制程工艺保证TLC的寿命,然后通过3D NAND增加容量。

在主要的NAND厂商中,三星是最早量产了3D NAND,其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间,在3D NAND路线上,三星也研究过多种方案,最终量产的是VG垂直栅极结构的V-NAND闪存,目前已经发展了五代V-NAND技术,堆栈层数从之前的64层提高到了90层以上,TLC类型的3D NAND核心容量更大,目前最新的技术在自家的860及970系列SSD上都有使用。

QLC能够迅速落地,有如此成就离不开3D NAND技术的发展,正是如此,借助3D NAND技术,QLC才能够实现1000PE的寿命,目前能够推出QLC的厂商,也都是通过3D NAND实现的。大家对QLC的最大焦虑就是寿命,真正了解QLC以后,自然会消除焦虑,目前已经有多家厂商对外表示自家3D QLC闪存的可擦写寿命为1000PE。

三星第五代V- NAND技术已经足够成熟,再配合以QLC闪存这也就使得固态硬盘在容量上轻松步入TB时代,三星作为全球领先的闪存厂商,去年首发采用QLC闪存的SATA SSD,860QVO就已经能够实现单颗1TB的闪存颗粒,目前发售的版本最高甚至可以达到4TB,这也意味着SSD进入TB级时代。

QLC+3D NAND带来更多可能

NAND闪存已经进入3D NAND时代了,在2D NAND闪存时代,厂商为了追求NAND容量的提升,需要不断提升NAND制程工艺,但在3D NAND时代,提升NAND容量靠的不是微缩制程工艺了,而是靠堆栈的层数,所以工艺变得不重要了,比如三星最初的3D NAND闪存使用的还是40nm工艺,可靠性要比20nm、10nm级工艺高得多。

由于TLC问世于2D NAND闪存时代,所以遭遇了诸多寿命、性能上的考验,最初发布的TLC闪存P/E寿命只有100-150次,但是随着NAND技术的进步、纠错技术的改良,P/E寿命不断提升,从TLC闪存的进阶之路我们便不难看出这个道理,所以这个发展之路对于QLC闪存同样适用。

任何新技术的普及都不是一帆风顺的,所以大家对QLC闪存的寿命担心也很正常,从内部结构来看,确实QLC闪存的寿命要低于TLC,但现在3D NAND时代的QLC闪存在可靠性上跟2D NAND时代的TLC、QLC完全不同,P/E寿命不是问题,目前主流的QLC闪存P/E已经能够达到将近1000,并不比TLC闪存差多少。

三星作为全球主要的闪存厂商,新技术一直领先于市场,我们目前已经能够看到消费级的QLC闪存硬盘860QVO,而且三星为其提供了3年时间的质保或者1440TBW的总写入,且连续读写测试能达到跟TLC同级的水平,大约写入100GB时速度下降为100MB/s,但这依旧要远远高于机械硬盘的速度。

QLC闪存现在能够问世从根本上来说是市场需要,我们都知道内存的速度要比SSD快,但是SSD又要比机械盘快,性能虽然逐渐降低,但是换来的是更大的容量,所以随着技术发展势必会有TB级起步的超大容量SSD来取代机械硬盘的位置,而历史将这个任务交给了QLC闪存。

QLC闪存时代已经来临

由于内部架构原因,QLC闪存读写速度要低于TLC闪存,但是要远远高于机械硬盘,并且拥有同等TB级的容量,随着5G逐渐进入商用,我们个人的存储需求势必进一步加大,有不少科研机构预计了我们未来的硬盘使用场景,未来更可能是以500GB左右的TLC或者MLC闪存盘来做系统主盘,用2T或者更大的QLC闪存盘当做仓库盘这样便能完美的发挥各自优点,避开不足。

可以说QLC闪存的时代已经来了,三星QLC闪存已经开始出货,我们在电商平台已经可以看见三星的860QVO在出售,最高容量可以支持4TB,很明显QLC闪存最大的优势是能够实现更大的容量,无论是消费级还是企业级,而这靠TLC是无法实现的。

与机械盘相比,无论是连续读写、随机读写亦或是功耗和噪音它都是完全胜出,所以取代机械硬盘应该只是时间问题了。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

EnduroSLC® eMMC NANDrive EX系列最高可达40万擦写次数; 高性价比eMMC NANDrive VX系列可在宽温 (-25oC 至 +85oC) 环境下工作

关键字: 固态硬盘 NAND

作为全球存储器解决方案领导者的铠侠株式会社于近日发布了EXCERIA PLUS™ 极至光速™ G2 NVMe™ SSD的升级版本——EXCERIA PLUS™ 极至光速™ G3 NVMe™ SSD。该系列产品具有强大的...

关键字: 固态硬盘 笔记本电脑 存储

随着存储信息爆炸、影音照片越来越高清、游戏体积越来越大,你是否已经开始有了容量焦虑?抢先拥有致态TiPlus7100 4TB SSD以及致态Ti600 4TB SSD两款大容量显眼包“卷王”,即刻实现容量自由!

关键字: 长江存储 致态 固态硬盘

固态硬盘(Solid State Drive,简称SSD)是一种新型的存储设备,它采用闪存芯片作为存储介质,具有读写速度快、抗震性能好、功耗低等优点。然而,固态硬盘的使用寿命一直是用户关注的焦点。那么,固态硬盘的使用寿命...

关键字: 固态硬盘 计算机硬件

固态硬盘(Solid State Drive,简称SSD)是一种采用固态电子存储芯片阵列制成的硬盘,由控制单元和存储单元(NAND Flash芯片)组成。与传统的机械硬盘(HDD)相比,固态硬盘具有读写速度快、耐用性强、...

关键字: 固态硬盘 计算机硬件

在计算机硬件领域,硬盘作为存储数据的设备,其性能直接影响到整个系统的运行速度。目前市场上主流的硬盘类型主要有液态硬盘(HDD)和固态硬盘(SSD)。那么,液态硬盘和固态硬盘究竟有什么区别?哪个更好呢?本文将对此进行详细的...

关键字: HDD SSD 固态硬盘

固态硬盘的缓存主要分为DRAM Buffer 、SLC Cache、Host Memory Buffer。这三种缓存,有何区别?本文将带你深入了解三种缓存对工业级固态硬盘的重要性。

关键字: 威刚工控 缓存 固态硬盘

作为长江存储旗下唯一零售品牌,致态(ZHITAI)打造了一系列高性能、高品质消费级三维闪存产品,无论是升级电脑性能、提升数据安全还是扩大存储容量,选择致态,一盘统统搞定。京东“开门红”活动火爆进行时,致态多款热销单品将迎...

关键字: 长江存储 固态硬盘

近日,TechInsights通过拆解一款消费电子产品发现,原来当今世界上最先进的3D NAND存储芯片竟然来自中国!

关键字: 长江存储 固态硬盘 芯片
关闭
关闭