物联网
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AI与存储双革命共振 全闪化拐点重塑数字底座
当AI大模型训练需调用50PB气象数据，当日自动驾驶车辆产生20GB感知数据，数据洪流正以前所未有的力量冲击传统存储体系。恰逢此时，AI革命与分布式存储革命形成共振，全闪化拐点的到来更让这场产业变革进入加速期。三大变革相互交织，不仅重构了存储行业的技术范式与市场格局，更成为数字经济纵深发展的核心支撑。
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非易失性MRAM存储器在各级高速缓存中的应用探索
在人工智能、自动驾驶与大数据处理等高性能计算场景的驱动下，传统存储体系面临着速度、功耗与可靠性的三重瓶颈。作为典型的非易失性磁电存储技术，磁阻随机存取存储器(MRAM)凭借高速读写、低功耗、非易失性与高耐久性的核心优势，正成为重构各级高速缓存架构的理想候选方案。本文将从MRAM的技术特性出发，深入剖析其在L1、L2、L3各级高速缓存中的应用适配性、优化策略及产业化前景。
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感应加热电源中的主流频率跟踪技术解析
感应加热技术凭借高效、节能、环保等优势，广泛应用于金属热处理、熔炼、焊接等工业领域。感应加热电源作为核心设备，其输出频率需与负载线圈和被加热工件组成的负载回路固有谐振频率保持一致，才能实现能量的高效传输，避免功率损耗和设备损坏。这一过程中，频率跟踪技术扮演着关键角色。本文将详细解析感应加热电源中常用的频率跟踪技术，探讨其工作原理、技术特点及适用场景。
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降低电容自身温升及电源电路的整体热负荷实现网关热管理的优化
在工业控制、智能网联汽车、物联网等领域，网关作为数据交互与协议转换的核心节点，其工作稳定性直接决定整个系统的可靠性。网关内部集成了处理器、电源模块、接口芯片等大量发热器件，热管理问题日益突出。电容作为网关电源电路中的关键元件，其自身发热及对周边器件的热影响往往被忽视。实际上，电容的纹波电流承载能力与发热特性密切相关，合理利用电容的高纹波电流能力，可有效降低电容自身温升及电源电路的整体热负荷，进而实现网关热管理的优化。本文结合实际网关设计场景，探讨利用电容高纹波电流能力优化热管理的核心策略与实践要点。
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电力电子与自动化控制领域，PWM技术的基本原理与工作机制
在电力电子与自动化控制领域，脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation, PWM)技术以其高效、灵活的特性成为核心控制手段。
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LLC谐振变换器：高效电力转换的核心技术
LLC谐振变换器凭借其独特的优势，在数据中心、电动汽车充电桩、工业电源等领域展现出卓越性能。本文将从工作原理、拓扑结构、设计方法到应用场景，系统解析这一高效电源转换技术。
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UWB高精度室内定位：智能仓储的“时空引擎”
在智能仓储领域，传统定位技术因精度不足、抗干扰能力弱等问题，难以满足现代物流对效率与安全的双重需求。UWB（超宽带）技术凭借厘米级定位精度、强抗干扰性和低功耗特性，正成为仓储数字化的核心基础设施。其通过极短脉冲信号实现时间差测量，结合分布式基站架构，在复杂环境中仍能保持稳定性能，为仓储管理带来革命性变革。
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电解电容：原理、结构与应用指南
电解电容作为电子电路中不可或缺的元件，以其大容量和低成本特性广泛应用于电源滤波、能量存储和信号耦合等领域。
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追光者：光伏电站的绿色革命
在青海格尔木的戈壁滩上，20万块深蓝色光伏板如海浪般铺展，在海拔2800米的阳光下折射出金属光泽。这座占地730亩的20MW光伏电站，是新能源时代的一个缩影。
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光耦：电子信号隔离的“隐形桥梁”
在电子设备复杂的电路系统中，光耦(光耦合器)扮演着至关重要的角色，它如同一座“隐形桥梁”，在不破坏电气隔离的前提下，实现信号的高效传输。
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智能农业传感器：土壤湿度监测算法与无线数据传输优化
在智能农业中，土壤湿度监测是精准灌溉、作物健康管理的核心环节。随着物联网（IoT）技术的普及，土壤湿度传感器已从传统人工采样升级为实时、高精度的数字化监测系统。本文将聚焦土壤湿度监测算法的优化与无线数据传输的效率提升，探讨如何通过技术创新推动农业可持续发展。
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智能健康手环的连续血氧监测算法与硬件校准
血氧饱和度（SpO₂）是反映人体呼吸循环功能的关键指标，传统智能手环多采用间歇式测量，存在数据断层与误差累积问题。本文提出一种基于PPG（光电容积脉搏波）的连续血氧监测方案，通过动态波长补偿算法与硬件闭环校准，在STM32H7微控制器上实现误差
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DC-DC降压转换器：原理、设计与应用
DC-DC降压转换器作为核心电源解决方案，广泛应用于智能手机、物联网设备、工业控制等领域，其通过开关技术实现电压高效转换，成为现代电子系统不可或缺的组件。
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LoRa模块赋能万物互联：从田间到城市的智能革命
在5G与AI技术深度融合的2025年，物联网设备数量已突破千亿级，传统通信技术面临覆盖盲区、功耗过高、部署成本三大痛点。
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数字电路的开漏输出的基础概念与电路结构
开漏输出(Open-Drain Output)是数字电路中一种特殊的输出模式，其核心特征在于仅通过N型MOS管(NMOS)实现低电平输出，高电平输出则依赖外部上拉电阻。
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