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福懋科、华东Q1营收续冲
时间：2010-01-27 08:07:00
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[导读]DRAM封测厂首季展望乐观，由于DDR3封测制程改变，代工价格较DDR2增加约20％，加上DDR2封测代工价今年初已调涨10％，DRAM封测厂首季平均价格（ASP）明显优于去年第4季，加上上游DRAM厂提升投片量，法人预估福懋科（81
DRAM封测厂首季展望乐观，由于DDR3封测制程改变，代工价格较DDR2增加约20％，加上DDR2封测代工价今年初已调涨10％，DRAM封测厂首季平均价格（ASP）明显优于去年第4季，加上上游DRAM厂提升投片量，法人预估福懋科（8131）、华东（8110）等首季营收季增率上看1成，力成（6239）有机会挑战90亿元大关。
在美光加快技转动作下，南亚科及华亚科本季已全力进行50奈米制程升级，预计3月后50奈米DDR3占产能比重将提升到3成以上，第2季下旬将逾5成，加上两家DRAM厂今年合计资本支出将超过700亿元，用来扩充12吋厂产能及加快42奈米微缩。
由于DRAM制程由70奈米推进至50奈米后，单片晶圆颗粒产出量将增加8成至9成，50奈米再推进至42奈米后，还可再增加7成至8成，所以市场推算两家DRAM厂今年位成长率（bit growth）将上看7成，而承接南亚科及华亚科后段DRAM封测业务的福懋科、华东等，自然受惠最大。
尔必达阵营今年营运策略主要以50奈米制程微缩为主，包括力晶、瑞晶、茂德、华邦电等，已经全速导入50奈米世代新技术量产DDR3。以现在进度来看，今年中旬也会有接近7成产能改以50奈米投片，配合尔必达阵营DRAM厂的投片量拉高到满载水位，今年DRAM产出将因制程微缩而逐季拉高，后段封测厂力成、华东等自然也是接单畅旺，订单能见度已达第2季中下旬。
至于力成除了受惠于尔必达阵营DRAM产能开出，东芝扩大NAND闪存产能力图提升市占率，也有助于力成今年营运表现。
在美光加快技转动作下，南亚科及华亚科本季已全力进行50奈米制程升级，预计3月后50奈米DDR3占产能比重将提升到3成以上，第2季下旬将逾5成，加上两家DRAM厂今年合计资本支出将超过700亿元，用来扩充12吋厂产能及加快42奈米微缩。
由于DRAM制程由70奈米推进至50奈米后，单片晶圆颗粒产出量将增加8成至9成，50奈米再推进至42奈米后，还可再增加7成至8成，所以市场推算两家DRAM厂今年位成长率（bit growth）将上看7成，而承接南亚科及华亚科后段DRAM封测业务的福懋科、华东等，自然受惠最大。
尔必达阵营今年营运策略主要以50奈米制程微缩为主，包括力晶、瑞晶、茂德、华邦电等，已经全速导入50奈米世代新技术量产DDR3。以现在进度来看，今年中旬也会有接近7成产能改以50奈米投片，配合尔必达阵营DRAM厂的投片量拉高到满载水位，今年DRAM产出将因制程微缩而逐季拉高，后段封测厂力成、华东等自然也是接单畅旺，订单能见度已达第2季中下旬。
至于力成除了受惠于尔必达阵营DRAM产能开出，东芝扩大NAND闪存产能力图提升市占率，也有助于力成今年营运表现。
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