ReRAM：DRAM和NAND的最强继任者？

存储器是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。存储器已经形成主要由DRAM与Flash构成的超千亿美元的市场。尽管存储器产品品类众多，但从产品营收贡献的角度来看，DRAM和Flash(NAND、NOR)的营收占比超95%。

DRAM与Flash虽然在存储器领域近乎“绝对垄断”，但是，人工智能、物联网、5G到来，都加速了数字化浪潮来袭。在这个背景下，数据处理的需求量呈指数级上升，半导体从业者纷纷加大对存储技术的研发与投资，想实现成本更低、速度更快、效能更好的存储。

龙头也有短板

存储市场中，最常见且被广泛应用的存储器为DRAM与NAND。近年来随着半导体制程持续朝更小的技术节点迈进，DRAM与NAND严重面临尺寸微缩挑战，DRAM目前已接近微缩极限，而NAND则全力朝3D架构转型。

此外，随着数据量的爆发增长，DRAM及NAND在耗电量及数据访问速度上已无法跟上需求的脚步。他们在需要高速运算的应用场景中也有一些阻碍。

基于这些原因，下一代存储技术为了补位，出现在大家的视野中。

新生代存储：PCRAM、MRAM、ReRAM

经过各个厂商数十年的不懈努力，下一代存储已经出现了几位极具潜力的种子选手：PCRAM、磁阻式内存MRAM、以及电阻式内存ReRAM。这些新兴存储的技术性能也各有差异。

PCRAM(相变随机存储器)

PCRAM是一种利用相变材料作为存储介质，通过相变材料在电流的焦耳热作用下，在结晶相态和非晶相态之间快速并可逆的转换时，会呈现出的不同电阻率这一特性来实现数据存储的技术。

与NAND相比，PCRAM在写入更新代码之前不需要擦除以前的代码或数据，所以在速度方面，比NAND有优势，读写时间较为均衡。然而，PCRAM虽然读写速度比NAND有所提高，但冷却过程会带来更高功耗。其次，为了使相变材料兼容CMOS工艺，PCRAM必须采取多层结构，因此存储密度过低，在容量上无法替代NAND。

PCRAM早已逐渐步入产业化进程。

2006年，英特尔和美光成立IM Flash Technologies，开始合作研发新的存储器技术。2012年，双方开始合作3D XPoint存储项目，3D XPoint技术也是PCRAM的一种。2015年7月，美光和因特尔联合发表了发表双方共同研发的存储器技术：3D XPoint存储器技术。

MARM(磁性随机存储器)

MRAM(磁性随机存储器)靠磁场极化而非电荷来存储数据，存储单元由自由磁层、隧道栅层、固定磁层组成。自由磁层的磁场极化方向可以改变，固定层的磁场方向不变，当自由层与固定层的磁场方向平行时，存储单元呈现低电阻;反之呈高电阻，通过检测存储单元电阻的高低，即可判断所存数据是0还是1。MRAM拥有SRAM的高速读取写入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。

MRAM最大的缺点是存储单元之间存在干扰，当对目标位进行编程时，非目标位中的自由层很容易被误编程，尤其是在高密度情况下，相邻单元间的磁场的交叠会愈加严重。

从开始研究到现在，MRAM已经有20多年历史了。

ReRAM(阻变存储器)

ReRAM(阻变存储器，也称忆阻器)是当下最有前景的新型非易失性存储技术之一，其器件结构简单，操作方式简捷，具有尺寸易于缩小，高速度，低功耗，低成本，易与CMOS工艺兼容等诸多特点。

典型的ReRAM由两个金属电极夹一个薄介电层组成，介电层作为离子传输和存储介质。在上下电极间施加电压，中间的阻变层中会形成一条导电通道。通过改变上下电极间的电压来控制导电通道的状态，进而使得存储器件的电阻值发生变化。不同的电阻值代表不同的存储状态，即使去掉电极上的电压信号，电阻值仍然会继续保持，因此可以实现非易失性存储。

ReRAM的单元面积小，读写速度是NAND的1000倍，同时功耗可以降低15倍。

ReRAM工艺也更为简单。以Crossbar为例，Crossbar的ReRAM能够使用标准的CMOS工艺与设备，对产线无污染，整体制造成本低，可以很容易地让半导体代工厂具备ReRAM的生产制造能力，这对于量产和商业化推动有很大优势。

从密度、能效比、成本、工艺制程和良率各方面综合衡量，ReRAM存储器在目前已有的新型存储器中具备明显优势。

多点开花的ReRAM应用领域

ReRAM的优越性能也让其应用也十分广泛。

AIoT：效能与安全是要义

AIoT主要由微型设备组成，供电能力弱且需要数据实时交互，因此不仅要求存储器件低功耗，也需要高速度和低延迟。ReRAM在读写速度和功耗几倍到几百倍的提升，并可实现更高的存储密度。

AIoT的数据要求具备基本的信息安全和隐私保护能力。一些厂商的ReRAM都带有PUF密钥，每颗存储芯片都拥有唯一信任根和唯一主动标识ID，结合通用密码算法，实现数据和程序的防复制和防篡改能力。

人工智能：亟需打破存储墙

人工智能不断发展，对存储和计算提出了更高的要求。目前计算机还是依然延续冯·诺依曼结构，存储单元和计算单元独立分开，

现有冯·诺伊曼计算系统采用存储和运算分离的架构，存在“存储墙”与“功耗墙”瓶颈，严重制约系统算力和能效的提升。“能效比低”已经成为人工智能芯片的瓶颈问题。

ReRAM可以直接在芯片上集成处理逻辑，从而实现全新的以内存为中心的SoC架构。ReRAM的优越特性有助于解决这些算法所需的性能和能源挑战。通过减少存储和计算之间的性能差距。

数据中心：高速计算提出更高要求

DRAM读写速度很快，但是无法下电保存数据，NAND密度高，可以下电保存数据，但是读写速度延迟高。高速计算、5G、万物互联等应用场景正在推动数据中心、智能终端的高速增长和转型，对数据中心和智能终端提出了性能的更高要求。

通过利用ReRAM密度高、能耗低、读写速度快及可下电数据保存的特点，能帮助用户大幅提升数据中心性能，降低能耗，达到运营成本的大幅降低。

ReRAM未来前景光明，近几年，也是ReRAM发展最关键的时期。在新兴的存储技术中，ReRAM技术对于降低存储器计算的能耗、提高成本效益至关重要，因而极具发展前景。然而，要想把握这些机会，真正成为DRAM和NAND的继任者，ReRAM还有很长的路要走。