当前位置：首页 > 模拟 > 模拟

Everspin将MRAM容量提升到16Mb阴霾开始笼罩SRAM

时间：2010-06-28 10:07:38

关键字： SPI SRAM RS EV

手机看文章

扫描二维码
随时随地手机看文章

[导读]EverspinMRAM的三大优势分别是：非易失能力(业内最长的寿命和数据保存时间)、超快的存取周期、无限次擦写。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，几乎与SRAM同一级别，并允许无限制的读/

EverspinMRAM的三大优势分别是：非易失能力(业内最长的寿命和数据保存时间)、超快的存取周期、无限次擦写。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，几乎与SRAM同一级别，并允许无限制的读/写循环。在每次写入后，资料能持续保存超过20年。

此外，与其它存储器不同，MRAM还拥有优异的软错误率(SER,softerrorrate)。Everspin科技公司首席运营官SaiedTehrani指出，该特性对于许多工程人员来说就十分重要。这款16MbMRAM由位宽为16的1,048,576个字组成。引脚和功能可与异步SRAM兼容。

“Everspin的MRAM还有一项重要优势就是环保，一方面它无铅，符合RoHS法规，另一方面，非易失性就不需要电池供电，除却了电池对环境的破坏。更重要的是，无需电池还能够降低系统运行风险，提升产品的可靠性。”Saied强调说。

由于上述的更高容量、长寿命、无电数据保持等多种特性，MR4A16B能够将其目标应用瞄向工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。目前，存储系统/服务器和工业自动化是MRAM的两大应用市场。

据Saied透露，Everspin正在更先进的工艺节点上继续开发MRAM产品，以支持其MRAM产品路线图向非常高密度和更高性能发展，并试图不断降低成本赢得更多客户，未来支持高密度存储类应用。下一代产品开发的方向是提高存储密度，容量为64Mb。

Saied继续表示：“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合，以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品发展蓝图，我们将不断提高MRAM产品的容量，并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。”

MR4A16B提供小尺寸48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄形小尺寸(TSOPII)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率SRAM产品和其它非挥发RAM产品兼容。

从供货情况看，MR4A16B提供小尺寸48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄形小尺寸(TSOPII)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率SRAM产品和其它非挥发RAM产品兼容。该产品包括商业级(0℃至+70℃)和工业级(-40℃至+85℃)两种温度范围。现已可提供样品，预计于2010年7月开始量产。

加入新的16MbMRAM成员后，现在Everspin的产品组合包括提供BGA和TSOP两种可选封装、容量从256Kb到16Mb的8位和16位并行I/O产品，以及采用DFN封装、容量从256Kb到1Mb的串行I/O产品。