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尔必达将与联华电子将研发新技术
时间：2010-06-22 15:27:29
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[导读]「日本经济新闻」报导，日本半导体大厂尔必达公司将与台湾的联华电子及力成科技共同研发最尖端的「铜硅穿孔（TSV）」加工技术。报导指出，半导体的微细化技术已快达到极限，将来的研发焦点聚焦在芯片的垂直堆栈技术。
「日本经济新闻」报导，日本半导体大厂尔必达公司将与台湾的联华电子及力成科技共同研发最尖端的「铜硅穿孔（TSV）」加工技术。
报导指出，半导体的微细化技术已快达到极限，将来的研发焦点聚焦在芯片的垂直堆栈技术。尔必达、联华电子、力成科技希望能结合DRAM或CPU等不同种类的半导体制造技术，拓展高性能的半导体事业，除了共同研发之外，也考虑委托或共同生产的可能性。
预计本周内，3家公司将召开联合记者会。尔必达社长（土反）本幸雄、联华电子首席执行长孙世伟、力成科技董事长蔡笃恭都出席。
报导指出，半导体的微细化技术已快达到极限，将来的研发焦点聚焦在芯片的垂直堆栈技术。尔必达、联华电子、力成科技希望能结合DRAM或CPU等不同种类的半导体制造技术，拓展高性能的半导体事业，除了共同研发之外，也考虑委托或共同生产的可能性。
预计本周内，3家公司将召开联合记者会。尔必达社长（土反）本幸雄、联华电子首席执行长孙世伟、力成科技董事长蔡笃恭都出席。
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