美开发厚度为单原子直径的半导体薄膜

美国北卡州立大学研究人员日前表示，他们开发出制造高质量原子量级半导体薄膜(薄膜厚度仅为单原子直径)的新技术。材料科学和工程助理教授曹林友(音译)说，新技术能将现有半导体技术的规模缩小到原子量级，包括激光器、发光二极管和计算机芯片等。

研究人员研究的材料是硫化钼，它是一种价格低廉的半导体材料，电子和光学特性与目前半导体工业界所用的材料相似。然而，硫化钼又与其他半导体材料有所不同，因为它能以单原子分层生长形成单层薄膜，同时薄膜不会失去原有的材料特性。

在新技术中，研究人员将硫粉和氯化钼粉放置于炉内，并将温度逐步升高到850摄氏度，此时两种粉末出现蒸发(汽化)并发生化学反应形成硫化钼。继续保持高温，硫化钼能沉积到基片上，形成薄薄的硫化钼膜。

曹林友表示，他们成功的关键是寻找到了新的硫化钼生长机理，即自限制生长，通过控制高温炉中分压和蒸汽压来精确地控制硫化钼层的厚度。

研究人员目前在试图寻找其他的方式，以制造类似的但每个原子层由不同材料组成的薄膜。同时，他们也在利用新技术制作场效应晶体管和发光二极管。