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[导读]“十二五”规划出台以后,国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视,同时,“节能减排”工作也深入开展,中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键部件,受到了国家的重

“十二五”规划出台以后,国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视,同时,“节能减排”工作也深入开展,中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT半导体功率器件作为关键部件,受到了国家的重视,近两年更是列入国家重大科技专项中提供多方位的支持。

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是继双极晶体管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半导体分立器件,具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点,广泛用于小体积、高效率的变频电源、电机调速UPS以及逆变焊机当中,是目前发展最为迅速的新一代功率器件。

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